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沈陽北博電子科技有限公司
數字化系統協同設計、MEMS工藝制造諧振工作原理健壯、本征數字輸出信號
1、主要特點
數字化系統協同設計,MEMS工藝制造的高性價比芯片
金屬剛性封裝,氣密性耐壓可靠性、穩定性、適應性健壯
無源信號歸一補償,使用互換性高
通用行業標準封裝,二次使用裝配簡捷
適于表壓、絕壓、差壓種類齊全
覆蓋低、中、高寬壓力量程范圍
應用領域——與不銹鋼兼容的絕緣氣體和液體的壓力測量
2、主要技術性能指標
序號
項目
規格指標
備注
1
基準壓力量程
表壓、差壓
絕壓
0~1kPa、2kPa、3kPa、6kPa、10kPa、20kPa、30kPa、60kPa、100kPa、200kPa、300
kPa、600kPa、1MPa、2MPa、3MPa、6MPa、10MPa
100kPa、200kPa、300kPa、600kPa、1MPa、2MPa、3MPa、 6MPa、10MPa、20MPa、20MPa、40MPa、60MPa、100MPa
1*
2
過載能力
≥3倍基準量程(≤10MPa);≥1. 5倍基準量程(>10MPa);≥1. 25倍基準量程(≥60MPa)
2*
3
橋路電阻
3~5kΩ
4
零點輸出
≤ ±1mV
3*
5
滿量程輸出
≥20mV(20kPa、35kPa);≥30 mV(20kPa、30kPa);≥50 mV(其它基準量程)
3*
6
準確度
≤ ±0.15%FS (其它基準量程);≤ ±0.25%FS (≤60kPa、≥60MPa、100MPa);
± 0.5%FS(≤10kPa)
3*、4*
7
差壓靈敏度對稱性
≤ ±0.3%FS(典型值)
3*、4*
8
敏感芯片類型
PN結; SOI
9
工作溫度
-55~+125℃(PN結); -55~+150℃(SOI)
10
零點熱漂移
PN結芯片:≤±1.5%FS/55℃(≤10kPa);≤±1%F.S /55℃(其它基準量程)
3*、5*
SOI芯片:≤± 1%FS/55℃(≤10kPa)≤± 0.8%F.S /55℃(其它基準量程)
3*、5*
11
滿量程熱漂移
PN結芯片:≤1.5%FS/55℃(≤10kPa);≤±1%F.S /55℃(其它基準量程)
3*、5*
SOI芯片:≤±1%FS/55℃(≤10kPa)≤± 0.8%F.S /55℃(其它基準量程)
3*、5*
12
絕緣電阻
>100MW
8*
13
短期穩定性
≤±0.1%FS/8h(PN結敏感芯片);≤±0.05%FS/8h(SOI敏感芯片)
3*.
14
長期穩定性
<±0.15%FS/年(PN結敏感芯片);<±0.1%FS/年(SOI敏感芯片)
3*.
15
供電電源
恒流0.5或1.5mA,恒壓5V或10V
16
電氣接線
(引腳號)
紅色導線(1)
綠色導線(2)
白色導線(3)
黑色導線(4)
電源+
輸出+
輸出-
電源-
17
外形尺度
Φ20×13(mm)
Φ16×13(mm)
Φ13×20(mm)
6*
Φ20×25(mm)
7*、1*
注:1*. 可定制; 2*. 100MPa量程過載為本量程上限; 6*. 表壓、絕壓
3*. 5VDC恒壓激勵,恒溫25℃; 7*. 差壓;
4*. 非線性數據計算為最小二乘法; 8*. 100VDC;
5*. 55℃溫區為-30~25℃或25~80℃;
注:可提供定制服務,如有需求請與營銷人員聯系。
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