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柯岷國際貿易（上海）有限公司
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離子研磨儀 IM4000II
IM4000II配備截面研磨能力達到500 µm/h*1以上的高效率離子槍。因此，即使是硬質材料，也可以高效地制備出截面樣品。
*1
在加速電壓6 kV下，將Si片從遮擋板邊緣突出100 µm并加工1小時的深度
樣品：Si片（2 mm厚）
加速電壓：6.0 kV
擺動角度：±30°
研磨時間：1小時
截面研磨時如果擺動的角度發生變化，加工的寬度和深度也會發生變化。下圖為Si片在擺動角度為±15°下進行截面研磨后的結果。除擺動角度以外，其他條件與上述加工條件一致。通過與上面結果進行對比后，可發現加工的深度變深。
對于觀察目標位于深處的樣品來說，能夠對樣品進行更快速的截面研磨。
樣品：Si片（2 mm厚）
加速電壓：6.0 kV
擺動角度：±15°
研磨時間：1小時
即使是由不同硬度以及研磨速度材質所構成的復合材料，也可以通過IM4000Ⅱ制備出平滑的研磨面
優化加工條件，降低因離子束所致樣品的損傷
可裝載20 mm(W) × 12 mm(D) × 7 mm(H)的樣品
金屬以及復合材料、高分子材料等樣品的截面制備
含有裂縫和空隙等特定位置的樣品截面制備
多層樣品的截面制備以及對樣品EBSD分析的前處理
直徑約為5mm范圍內的均勻加工
應用領域廣泛
可裝載直徑50 mm × 高度25 mm的樣品
可選擇旋轉和擺動（±60度，±90度的擺動）2種加工方法
去除機械研磨中難以消除的細小劃痕和形變
去除樣品表層部分
消除因FIB加工所致的損傷層
*1 將Si片從遮擋板邊緣突出100 µm并加工1小時的深度。
*2 需與主機同時訂購。冷卻溫度控制功能在使用時，部分功能可能使用有限。
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