霍爾效應測試系統（霍爾效應測試儀）HET-3RT依據范德堡法則測量材料的電運輸性能參數，如載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數等，薄膜或薄層材料均可測量，可應用于所有半導體材料，包括Si、ZnO、SiGe、SiC，GaAs，InGaAs，InP，GaN（N型&P型均可測量）,廣泛應用于國內高校、研究所、半導體、金屬、高熱導有機新材料等行業。

詳細介紹

關鍵詞：霍爾效應測試系統 霍爾效應測試儀載流子濃度測試系統

霍爾效應測試系統（霍爾效應測試儀）HET-3RT依據范德堡法則測量材料的電運輸性能參數，如載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數等，薄膜或薄層材料均可測量，可應用于所有半導體材料，包括Si、ZnO、SiGe、SiC，GaAs，InGaAs，InP，GaN（N型&P型均可測量）,廣泛應用于國內高校、研究所、半導體、金屬、高熱導有機新材料等行業。

產品特點

● 自主知識產權產品。

● 采用高精密度恒流源和電壓表，確保儀器測試的良好準確度和高穩定性，性能*。

● 自動控制磁場方向的改變，更加方便準確。

● 樣品裝夾方式快速方便，且使用能夠解決歐姆接觸的樣品芯片。

● 產品工業外觀采用一體化、精密化設計，融入人性化的設計理念，不僅賞心悅目而且操作方便。

● 智能化的用戶界面操作簡單，功能齊全的軟件平臺帶給客戶友好的操作體驗，使測試過程更加方便快捷。

產品技術參數

設備型號	HET-3RT
溫度范圍	RT
磁感應強度	0.68T
恒流源范圍	1nA~100mA
電壓表范圍	1nV~30V
遷移率范圍	1~107cm2/(V·s)
霍爾系數范圍	10-3~109cm3/C
載流子濃度范圍	107 ~1021/cm-3
電阻率范圍	10-6~107Ω·cm
樣品尺寸	邊長或直徑：10mm~20mm 厚度：10nm-1mm
主機尺寸	570x545x380(mm)
重量	50kg