該設(shè)備是利用真空磁控濺射鍍膜方式，可在硅片、陶瓷、玻璃、石英、Ⅲ-Ⅴ族化合物、金屬等材料表面鍍制各種金屬、非金屬、化合物薄膜材料。如Al、Au、Pt、Cr、Ti、Ni、Cu、NiCr、TiW、W、SiO、AlO、TaN、ITO、AZO等，沉積的薄膜具有良好的均勻性、附著力，該設(shè)備具有濺射速率快、基片升溫低、加熱穩(wěn)定等特點(diǎn)。

詳細(xì)介紹

實(shí)驗(yàn)型磁控濺射鍍膜機(jī)(直流/中頻/射頻/離子源）利用真空磁控濺射鍍膜方式，可在硅片、陶瓷、玻璃、石英、Ⅲ-Ⅴ族化合物、金屬等材料表面鍍制各種金屬、非金屬、化合物薄膜材料。如Al、Au、Pt、Cr、Ti、Ni、Cu、NiCr、TiW、W、SiO、AlO、TaN、ITO、AZO等，沉積的薄膜具有良好的均勻性、附著力，該設(shè)備具有濺射速率快、基片升溫低、加熱穩(wěn)定等特點(diǎn)。適用于任意底色的塑料,陶瓷、樹(shù)脂工藝品，玻璃等經(jīng)真空鍍膜后皆可鍍成金、銀、七彩、紅、紫、藍(lán)、灰、黑等多種鮮艷顏色，具有提高產(chǎn)品檔次，外觀(guān)更顯華貴作用。

應(yīng)用領(lǐng)域：實(shí)驗(yàn)型磁控濺射鍍膜機(jī)(直流/中頻/射頻/離子源）實(shí)驗(yàn)用真空鍍膜機(jī)主要用于科研、教學(xué)、電子元件、及涂料生產(chǎn)等行業(yè)的表面表面鍍膜。

設(shè)備特點(diǎn)：實(shí)驗(yàn)型磁控濺射鍍膜機(jī)(直流/中頻/射頻/離子源）具有外形美觀(guān)、結(jié)構(gòu)緊湊、性能多樣、操作簡(jiǎn)單可靠、耗電量低的特點(diǎn)。可實(shí)現(xiàn)蒸發(fā)鍍膜、磁控濺射鍍膜、電弧鍍膜等工藝。可進(jìn)行手動(dòng)、半自動(dòng)、全自動(dòng)控制.有多種尺寸型號(hào)可供選擇。

設(shè)備型號(hào)	HCLB-500
真空室尺寸	Φ500×H600mm
制膜種類(lèi)	半透明膜、金、銀、紅、藍(lán)、綠、灰、黑、七彩等多種顏色
電源類(lèi)型	電阻加熱鎢絲蒸發(fā)變壓器電源、高壓離子轟擊電源、可控硅電源
真空室結(jié)構(gòu)	立式側(cè)門(mén)結(jié)構(gòu)，后置抽氣系統(tǒng)
真空系統(tǒng)	分子泵+直聯(lián)旋片泵準(zhǔn)無(wú)油真空系統(tǒng)
極限真空	優(yōu)于5.0×10^-5Pa（如需更高真空度可配進(jìn)口真空泵組）
基片臺(tái)尺寸	尺寸Φ120mm
基片烘烤溫度	室溫～500℃，可調(diào)可控（PID控溫）（可選擇水冷機(jī)基片臺(tái)）（更高烘烤溫度可定制）
基片運(yùn)動(dòng)方式	自轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速0-20轉(zhuǎn)/分可調(diào)可控
膜厚不均勻性	≤±（1.5～5.0）%
濺射靶	磁控靶2支，預(yù)留2個(gè)靶位/2個(gè)電弧靶位
電源	直流電源/雙極脈沖中頻電源/射頻電源可選，數(shù)量可選
報(bào)警及保護(hù)系統(tǒng)	對(duì)泵、靶、電極等缺水，過(guò)流過(guò)壓，斷路等異常情況進(jìn)行報(bào)警并執(zhí)行相應(yīng)保護(hù)措施；完善的邏輯程序互鎖保護(hù)系統(tǒng)
選購(gòu)件	蒸發(fā)電弧+電弧電源、負(fù)偏壓電源、循環(huán)水機(jī)、膜厚控制系統(tǒng)、進(jìn)口部件等
抽氣時(shí)間	空載大氣抽至5×10^-2pa小于6分鐘
工件旋轉(zhuǎn)方式	6軸/8軸/9軸公自轉(zhuǎn)/變頻無(wú)級(jí)調(diào)速
控制方式	手動(dòng)＋半自動(dòng)＋全自動(dòng)一體化/觸摸屏＋PLC
備注	真空室尺寸可按客戶(hù)產(chǎn)品及特殊工藝要求訂做