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上海凱美特功能陶瓷技術有限公司
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SE-VE橢偏儀是基于單旋轉補償器調制技術一次性獲取Psi/Delta、N/C/S、反射率等光譜，可實現基底上單層到多層薄膜的膜厚、光學常數的快速分析表征。
一、目的
本設備基于單旋轉補償器調制技術一次性獲取Psi/Delta、N/C/S、反射率等光譜，可實現基底上單層到多層薄膜的膜厚、光學常數的快速分析表征。
二、測量系統規格
SE-VE光譜橢偏儀技術參數
橢偏儀測頭規格：
光譜范圍：400-800nm
入射角：65°
光斑大小：2-3mm
調制技術：PCRSA調制技術
膜厚重復性測量精度：0.05nm（100nm 硅基SiO2樣件，30次重復測量1σ）
折射率測量精度：0.001（100nm 硅基SiO2樣件，30次重復測量1σ）
膜厚測量范圍：0.1nm—10μm
單點測量時間：＜5s
光源：高性能進口鹵素燈光源（鹵素燈壽命：2,000h）
可視化樣品顯微對準系統
圖1光譜橢偏測頭原理圖
圖2 SE-VE光譜橢偏儀實物圖
樣品臺規格：
基板尺寸：*大支持樣件尺寸到8inch晶圓 （可定制）
Z軸位移行程：0-10mm
樣件臺俯仰角度：> ±2°
測控與分析軟件
光譜測量能力：PSI/DELTA橢偏光譜、N/C/S光譜、反射率光譜測量
數據分析能力：具備單層、多層膜厚、光學常數（折射率、消光系數）分析能力
支持常用光學常數模型以及常用振子模型（柯西模型、洛倫茲模型、高斯模型等），并支持圖形化多振子混合模型擬合功能
支持多組分薄膜與體材料光學常數、組分比例分析功能； 核心算法包含嚴格耦合波模型、等效介質模型
支持用戶自定義，軟件不限制拷貝數量，支持windows10操作系統
測控與分析計算機
操作系統：WIN10 64位
CPU處理器：Intel 酷睿I3
內存：≥4G
硬盤：≥500G
顯示器：≥19寸
配件
標準SiO2/Si標樣
標準安裝工具一套
環境要求
橢偏儀承載臺：尺寸>1.5m（長）× 1.0 m（寬），承載能力大于50Kg（建議光學隔振）
使用溫度范圍：20 ~ 26 ℃
相對濕度：35% ~ 60% RH
空氣壓力范圍：750~1014 mbar
潔凈度： Class 10000
能源要求
供電電源電壓：220V AC
正常頻率范圍：49-51Hz
相電流：有效值小于0.5A（220V AC）
功率：小于110 W
涂裝與表面處理
涂裝顏色：以黑色為主
表面處理：鍍化學鎳、陽極處理、烤漆等
質保與售后服務
整機硬件質保期為12個月。在質保期內出現各類故障供方及時免費維修，對非人為造成的各類零件損壞，及時免費更換
測控與分析軟件：升級，數據分析軟件提供拷貝
為用戶提供**充分儀器操作與數據分析培訓
提供終身免費數據建模與分析技術支持，為用戶提供樣件材料光學常數標定與模型庫升級服務
供方在接到故障報修信息后，供方維修人員4小時內電話響應，*晚48小時內供方服務工程師進行****維修
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