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深圳九州工業品有限公司
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產品簡介
| 產地 | 國產 |
|---|
絕對分子量、慣性半徑和第二維里系數可以使用靜態光散射法測量。
可以進行 Zimm plot、Berry plot、Zimm square root plot、單一濃度法 plot、Debye plot 等各種分析。
確定膠束的總數。
可選的棒狀樣品池支架可對光纖材料（散裝）進行絕對散射強度測量。
產品介紹
otsukael靜態光散射光度計 照度計SLS-6500HL的介紹
otsukael靜態光散射光度計 照度計SLS-6500HL的介紹
絕對分子量、慣性半徑和第二維里系數可以使用靜態光散射法測量。
可以進行 Zimm plot、Berry plot、Zimm square root plot、單一濃度法 plot、Debye plot 等各種分析。
- 確定膠束的總數。
可選的棒狀樣品池支架可對光纖材料（散裝）進行絕對散射強度測量。
產品信息
特征
膜厚測量范圍 1 nm 至 92 μm（SiO 2換算）
薄膜厚度值的高重復性
每點1秒以內的高速測量
圖案可瞄準微小點（最小Φ3μm）
適用于圖案化晶圓的膜厚測繪
可以獲取用于圖案對齊的圖像
除了可以進行高精度薄膜分析的分光橢圓偏光法外，它還通過實現自動可變測量角度機構來兼容所有類型的薄膜。除了傳統的旋轉分析器方法外，還通過為延遲板提供自動安裝/拆卸機構提高了測量精度。 |
特征
可在紫外-可見（300 至 800 nm）波長范圍內測量橢圓參數
能夠分析納米級多層薄膜的膜厚
通過 400 通道或更多通道的多通道光譜快速測量橢圓光譜
支持通過可變反射角測量對薄膜進行詳細分析
通過創建光學常數數據庫和添加配方注冊功能提高可操作性
測量項目
橢圓參數（tanψ，cosΔ）測量
光學常數（n：折射率，k：消光系數）分析
膜厚分析
測量對象
半導體ウェーハ
ゲート酸化薄膜，窒化膜
SiO2，SixOy，SiN，SiON，SiNx，Al2O3，SiNxOy，poly-Si，ZnSe， BPSG，TiN
レジストの光學定數(波長分散)化合物半導體
AlxGa(1-x)As 多層膜，アモルファスシリコンFPD
配向膜各種新素材
DLC(Diamond Like Carbon)，超伝導用薄膜，磁気ヘッド薄膜光學薄膜
TiO2，SiO2，反射防止膜リソグラフィー分野
g線(436nm)，h線(405nm)，i線(365nm)などの各波長におけるn，k評価
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￥220000
