拉單晶鎵摻雜劑（Ga Dopant）
■鎵為IIIA族元素，原子量為69.72，英文名稱為Gallium,簡稱Ga。鎵質(zhì)軟，淡藍(lán)色光澤。熔點(diǎn)29.78℃。沸點(diǎn)2403℃。具有無毒、不揮發(fā)、不燃、不爆炸等特性。是硅半導(dǎo)體摻雜的重要元素。
■光衰減率≤2％屬于檢測范圍內(nèi)，可視為無衰減。正如拉制無位錯單晶并非是零位錯的，而是位錯密度≤3000CM-2的單晶可視為無位錯的。
■用鎵代替硼作為摻雜劑來拉制太陽電池單晶，可以提高電池的轉(zhuǎn)換效率和降低光衰減問題（因為避免了硼氧復(fù)合體－嚴(yán)重影響光衰減率的深能級的產(chǎn)生）。
■本公司提供進(jìn)口拉單晶鎵摻雜劑，包括以下品種：
■7N進(jìn)口拉單晶
■ 8N進(jìn)口拉單晶
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