產品介紹:
SiC的物理和電學屬性使其成為短波長光電、高溫、耐輻射、高功率/高頻率電子器件的半導體材料。然而生長優質的SiC單晶非常困難,其中要素就取決于SiC晶種的品質。晶種的類型、表面性質和吸附變化極大地影響著SiC晶體的生長類型、缺陷結構以及電學性質等等。
合能陽光提供的SiC晶種,可充分滿足不同需求的客戶,優質的晶種品質為客戶SiC長晶的成品率與晶片質量提供了可靠的保障。
物理性質:
標準參數:
*可以根據客戶需求提供不同品質的晶種。Micropipe密度,標準控制在30/cm2以內,高品質可以控制在5/cm2以內。
典型客戶:
美國,歐洲,亞洲及國內SiC襯底企業。