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北京合能陽光新能源技術有限公司

當前位置:北京合能陽光新能源技術有限公司>>石墨>> 120µm±30µmSIC涂層MOCVD外延片石墨托盤

SIC涂層MOCVD外延片石墨托盤

訂       金: 10000

訂  貨  量: ≥1  件

具體成交價以合同協議為準

產品型號120µm±30µm

品牌其他品牌

廠商性質生產商

所在地北京市

更新時間:2020-12-22 14:05:53瀏覽次數:705次

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材質 石墨 截面形狀 O型
使用溫度 600℃ 使用壓力 0.4-0.8MPa
是否標準件 是否進口
適用范圍 汽車,門窗,電器,軸承,泵,氣缸,托輥,水管,化工管道,閥門 性質 耐高溫,耐高壓,耐腐蝕,耐磨損
作用 防塵密封
我公司擁有多名日本專家、博士工程師及*經營管理團隊,擁有專業從事碳化硅涂層以及對石墨產品進行高溫純化除雜技術。公司產品及技術廣泛應用于半導體行業,LED行業,航天行業,化工行業,光伏行業,包裝行業,耐腐蝕行業、冶金行業等領域。

我公司擁有多名日本專家、博士工程師及*經營管理團隊,擁有專業從事碳化硅涂層以及對石墨產品進行高溫純化除雜技術。公司產品及技術廣泛應用于半導體行業,LED行業,航天行業,化工行業,光伏行業,包裝行業,耐腐蝕行業、冶金行業等領域。

 

   公司通過引進國外的CVD法碳化硅涂層及高溫純化裝置與技術,根據客戶需要為不同形狀,不同結構和大小的石墨件純化除雜,純化后的石墨雜質可降至小于5PPM,并采用高溫化學氣相沉積法沉積厚度的碳化硅涂層。

 

   相比以往的工藝,CVD法生產的碳化硅晶體結構致密,晶格排列整齊,與沉底材料結合更緊密等優勢。具有耐高溫,耐磨損,耐腐蝕,易導熱的特點,憑借這些涂層,我們的產品被廣泛應用于制作流化床和熱氫化的反應器部件,CZ直拉單晶爐的導流筒部件,以及硅外延和GaN外延的托盤。

 

產品指標:

材料:進口等靜壓高純石墨

純度:小于5ppm

SIC涂層厚度:120µm±30µm(涂層厚度可根據客戶要求定制)

涂層表面粗糙度:6-8µm

涂層后基座電阻率:0.0004-0.00045Microhm-m

高均勻度和優異的熱傳導性

耐電漿轟擊

j佳均溫性

高耐腐蝕性和穩定性

理想的電阻特性

使用壽命長

 

應用領域:

LED芯片產業MOCVD外延片承載石墨托盤

ICP蝕刻制程用之承載盤

硅外延及GaN外延等各Ⅲ-V主族、Ⅱ-Ⅵ副族化合物半導體半導體材料外延托盤

 

合能陽光

提供各種規格碳化硅涂層石墨制品:承載盤,預熱環,篩盤,頂針等相關制品

可接受根據圖紙定制加工業務

質量穩定,交貨期短

主要客戶:

國內半導體芯片企業、LED光電企業等

SIC涂層MOCVD外延片石墨托盤

我公司擁有多名日本專家、博士工程師及*經營管理團隊,擁有專業從事碳化硅

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