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天津瑞利光電科技有限公司
產品介紹用于產生太赫茲THz的GaSe(硒化鎵)晶體顯示出高達41THz的大帶寬
用于產生太赫茲THz的GaSe(硒化鎵)晶體顯示出高達41 THz的大帶寬。GaSe是負單軸層狀半導體,具有62 m點組的六邊形結構,在300 K時的直接帶隙為2.2eV。GaSe晶體具有高損傷閾值,較大的非線性光學系數(54 pm / V),合適的透明范圍和低吸收系數,這使其成為寬帶中紅外電磁波產生的替代解決方案。由于使用低于20 fs的激光源產生和檢測寬帶太赫茲,因此與使用薄的ZnTe晶體相比,GaSe發射器-探測器系統的性能可達到相當甚至更好的結果。為了實現頻率選擇性太赫茲波的產生和檢測系統,應使用適當厚度的GaSe晶體。
GaSe晶體
Z切割,開裂,未鍍膜
尺寸:直徑7 mm
厚度:0.01 mm
由于材料結構的原因,可能僅沿(001)平面切割GaSe晶體
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