針對CCD、CMOS、image sensor、相機等圖像影像傳感器開發(fā)，適合多種規(guī)格的芯片和板卡性能測試，包括量子效率、光譜響應(yīng)、系統(tǒng)增益、飽和照射光子數(shù)、最小可探測照射光子數(shù)、動態(tài)范圍、暗電流、線性度和線性誤差、光電響應(yīng)不均勻度、暗信號不均勻度、CRA特性測量。

詳細(xì)介紹

針對COMS,CCD等影像傳感器開發(fā)，適合多種規(guī)格的芯片傳感器的量子效率測量。

1.可量測單一像素點的量子效率。
2.可量測全數(shù)組像素量子效率。
3.可產(chǎn)生各種所需單色光均勻光源，自動化校正各單色光、特定單色光入射光子數(shù)。
4.選配：可加配CRA載臺，用以測試chief ray angle。
5.選配：軟件可配合用戶需求修改。
6.為全自動化設(shè)計，操作簡易。

主要可測量的參數(shù)：
1.系統(tǒng)增益System gain(K)
2.量子效率Quantum efficiency
3.飽和照射光子數(shù)
4.最小可探測照射光子數(shù)
5.動態(tài)范圍(DR)
6.暗電流
7.線性度和線性誤差Linear-Error
8.光電響應(yīng)不均勻度PRNU
9.暗信號不均勻度 DSNU

系統(tǒng)優(yōu)勢:
QE-IS系統(tǒng)采用光焱科技研發(fā)多年的單色光均光系統(tǒng)具備下列多項優(yōu)勢:

高均勻度
可產(chǎn)生高均勻度的單色光光斑，在10x10mm2面積內(nèi)均勻度可以>99%，在20x20mm2面積內(nèi)仍可維持在>98%。與積分球系統(tǒng)相較，具有更佳的均勻度表現(xiàn)。

*QE-IS均光面的光強分布圖。

高光強度、高訊噪比
QE-IS高效率均光系統(tǒng)，以550nm單色光為例，在QE-IS系統(tǒng)光均面的光強度可>5 uW/cm2，相較于積分球系統(tǒng)的單色光強僅1x10-8 uW/cm2，兩者差距千萬倍，QE-IS系統(tǒng)量測具備的訊噪比，可精確測出感光組件的量子效率等相關(guān)光學(xué)特性。

可作單像素QE量測
因QE-IS單色光強度足夠(5 uW/cm2@550nm)，打在1 um的像素單元，產(chǎn)生的光電流約在20 pA，相較于積分球系統(tǒng)產(chǎn)生的單一像素光電流在sub-fA以下，QE-IS系統(tǒng)可直接用于量測數(shù)組感光組件上，任何單一像素的量子效率。

可作全數(shù)組像素QE量測
除單一像素量測，QE-IS可整合或是被整合于使用者自行開發(fā)的感光組件的數(shù)字電路訊號，以量測全數(shù)組像素QE。

可作CRA量測
QE-IS的均勻單色光發(fā)散角度< 5度，相較積分球的發(fā)散角度 >90度，搭配選配的旋轉(zhuǎn)平臺，即可量測CRA(Chief Ray Angle)特性。無需額外添購系統(tǒng)，方便整體的量測。

QE-IS與傳統(tǒng)積分球系統(tǒng)的特性比較表

項目	QE-IS 光學(xué)系統(tǒng)	傳統(tǒng)積分球系統(tǒng)
光均面均勻度 (10 mm x 10 mm)	> 99 %	> 99%
光均面位置	距均光系統(tǒng)出口300 mm	積分球開口處
光均面光強度	> 5 uW/cm2	1x10-8 uW/cm2 (1米積分球)
單像素QE量測	可(光強足夠)	否(光強度過低)
發(fā)散角度 (半角)	< 5度	> 90度
可否量測CRA	可	否

產(chǎn)品規(guī)格
1.適用影像組件尺寸: 1/4"、1/3"、1/2"、2/3"、1"
2.單色光光譜范圍: 200~1100 nm (可擴充)
3.均勻光源規(guī)格: 10 mm x 10 mm或更大
4.光均勻度> 99 %
5.單色光源角度: < 2.50 (半角)
6.最小波長步進(jìn)分辨率：0.1 nm
7.波長FWHM 可做0.1~30 nm調(diào)整
8.CRA角度精度?1度