詳細摘要： 簡要描述：High molecular weight with high solubility and high purity - TQ1 polymer is...
產品型號：所在地：上海更新時間：2024-02-09 在線留言污水處理設備 污泥處理設備 水處理過濾器 軟化水設備/除鹽設備 純凈水設備 消毒設備|加藥設備 供水/儲水/集水/排水/輔助 水處理膜 過濾器濾芯 水處理濾料 水處理劑 水處理填料 其它水處理設備
上海巨納科技有限公司
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詳細摘要： 簡要描述：High molecular weight with high solubility and high purity - TQ1 polymer is...
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詳細摘要： 簡要描述：High purity - PBDB-T is purified by Soxhlet extraction with methanol, hexan...
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詳細摘要： 簡要描述：三維石墨烯泡沫（1*1厘米）-三維獨立石墨烯泡沫 3D Graphene Foam-3D Freestanding Graphene Foam尺寸：1...
產品型號：1*1cm所在地：上海更新時間：2024-02-09 在線留言
詳細摘要： 簡要描述：ITIC represents the start of a new generation of electron-accepting small m...
產品型號：所在地：上海更新時間：2024-02-09 在線留言
詳細摘要： 簡要描述：三維石墨烯泡沫（1*1英寸）三維獨立石墨烯泡沫 3D Graphene Foam-3D Freestanding Graphene Foam尺寸：11...
產品型號：1*1''所在地：上海更新時間：2024-02-09 在線留言
詳細摘要： 簡要描述：硅基底石墨烯（1*1cm單層） Graphene on Si表面電阻：小于600Ω/sq定做：＜300Ω/sq透明度：gt; 95%制備方法：1）采用...
產品型號：1*1cm單層所在地：上海更新時間：2024-02-09 在線留言
詳細摘要： 簡要描述：Luminosyn DPP-DTT （also referred to as PDPP2T-TT-OD） is now available featu...
產品型號：所在地：上海更新時間：2024-02-09 在線留言
詳細摘要： 簡要描述：硅基底石墨烯（1*1'' 單層） Graphene on Si表面電阻：小于600Ω/sq定做：＜300Ω/sq透明度：gt; 95%制備方法：1）采...
產品型號：1*1'' 單層所在地：上海更新時間：2024-02-09 在線留言
詳細摘要： 簡要描述：二氧化硅基底石墨烯（1*1cm單層） Graphene on SiO2表面電阻：小于600Ω/sq定做：＜300Ω/sq透明度：gt; 95%制備方法...
產品型號：1*1cm單層所在地：上海更新時間：2024-02-09 在線留言
詳細摘要： 簡要描述：二氧化硅基底石墨烯（1*1'' 單層） Graphene on SiO2表面電阻：小于600Ω/sq定做：＜300Ω/sq透明度：gt; 95%制備方...
產品型號：1*1'' 單層所在地：上海更新時間：2024-02-09 在線留言
詳細摘要： 簡要描述：形狀：可任意裁剪尺寸：1*1cm/2*2cm/5*5cm/10*10cm層數：單層晶粒：單晶/多晶，50~300um
產品型號：5*5cm所在地：上海更新時間：2024-02-09 在線留言
詳細摘要： 簡要描述：形狀：可任意裁剪尺寸：1*1cm/2*2cm/5*5cm/10*10cm層數：單層晶粒：單晶/多晶，50~300um
產品型號：10*10cm所在地：上海更新時間：2024-02-09 在線留言
詳細摘要： 簡要描述：形狀：可任意裁剪尺寸：1*1cm襯底：紫銅層數：單層晶粒：單晶/多晶，50~300um
產品型號：1*1cm所在地：上海更新時間：2024-02-09 在線留言
詳細摘要： 簡要描述：形狀：可任意裁剪尺寸：1*1cm/5*5cm/10*10cm層數：單層晶粒：單晶/多晶，50~300um
產品型號：1*1cm所在地：上海更新時間：2024-02-09 在線留言
詳細摘要： 簡要描述：兩種不同的半導體相接觸所形成的界面區域稱為異質結，低維材料在線可以定制不同層數和結構的異質結材料
產品型號：所在地：上海更新時間：2024-02-09 在線留言
詳細摘要： 簡要描述：CVD Graphene/CVD Hexagonal Boron Nitride heterostructure on SiO2/Si wafer
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詳細摘要： 簡要描述：CVD Graphene/CVD Hexagonal Boron Nitride heterostructure on SiO2/Si wafer
產品型號：所在地：上海更新時間：2024-02-09 在線留言
詳細摘要： 簡要描述：尺寸：1*1cm/5*5cm/10*10cm層數：單層晶粒：單晶/多晶，50~300um
產品型號：1*1cm所在地：上海更新時間：2024-02-09 在線留言
詳細摘要： 簡要描述：Substrate:Sapphire （c-cut）Quartz （Silica）TEM grids （please supply grids）The...
產品型號：所在地：上海更新時間：2024-02-09 在線留言
詳細摘要： 簡要描述：三維石墨烯網絡是在泡沫金屬基底上通過化學氣相沉積高溫生長石墨烯薄膜層，借助泡沫基底的三維多孔骨架，生長成石墨烯的三維網絡。三維石墨烯具有體表面積大，導...
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