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上海巨納科技有限公司
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產(chǎn)品型號
品 牌
廠商性質(zhì)其他
所 在 地上海
聯(lián)系方式：袁文軍查看聯(lián)系方式
更新時間：2024-02-11 17:35:35瀏覽次數(shù)：109次
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簡要描述：晶體尺寸：10毫米電學性能：半導體晶體結構：斜方晶系晶胞參數(shù)：a = 0.4025nm，B = 1.117nm，C = 1.135nm，α=β=γ= 9晶體類型：合成晶體純度：＞99.995%表征方法：XRD，拉曼，EDX，霍爾測量
晶體尺寸：10毫米
電學性能：半導體
晶體結構：斜方晶系
晶胞參數(shù)：a = 0.4025nm，B = 1.117nm，C = 1.135nm，α=β=γ= 9
晶體類型：合成
晶體純度：＞99.995%
表征方法：XRD，拉曼，EDX，霍爾測量
晶體尺寸：10毫米
電學性能：半導體
晶體結構：斜方晶系
晶胞參數(shù)：a = 0.4025nm，B = 1.117nm，C = 1.135nm，α=β=γ= 9
晶體類型：合成
晶體純度：＞99.995%
表征方法：XRD，拉曼，EDX，霍爾測量
XRD of a single crystal Bi2S3. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.
EDX of a single crystal Bi2S3.
Raman of a single crystal Bi2S3. Measurement with a 785nm Raman at room temperature.
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