詳細摘要: 簡要描述:有序介孔碳-cmk-8 Ordered Mesoporous Carbon - cmk-8制備方法:模板法 空間群:la3d比表面積(平方米/克):7...
產品型號:ACSMaterial所在地:上海更新時間:2024-02-13 在線留言污水處理設備 污泥處理設備 水處理過濾器 軟化水設備/除鹽設備 純凈水設備 消毒設備|加藥設備 供水/儲水/集水/排水/輔助 水處理膜 過濾器濾芯 水處理濾料 水處理劑 水處理填料 其它水處理設備
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產品型號:ACSMaterial所在地:上海更新時間:2024-02-13 在線留言詳細摘要: 簡要描述:多孔碳 Porous Carbon密度(g/cm3):~ 0.3粒徑(#181;m)(D50):5或8灰分含量(%):≤0.5% pH值:6.5-7....
產品型號:ACSMaterial所在地:上海更新時間:2024-02-13 在線留言詳細摘要: 簡要描述:無序介孔碳 Disordered Mesoporous制備方法:硬模板法合成比表面積(平方米/克):600平均孔徑(納米):50納米顆粒尺寸:1微米可...
產品型號:ACSMaterial所在地:上海更新時間:2024-02-13 在線留言詳細摘要: 簡要描述:氮摻雜有序介孔碳 N-Doped Mesoporous Carbon制備方法:硬模板氮摻雜的介孔碳 CMK-3平均尺寸:1 um碳/氮(原子):4.3...
產品型號:ACSMaterial所在地:上海更新時間:2024-02-13 在線留言詳細摘要: 簡要描述:羧基石墨烯水溶液 Carboxyl Graphene Water Dispersion直徑:1~5um厚度:0.8~1.2nm羧基比例:5%純度:99...
產品型號:ACSMaterial所在地:上海更新時間:2024-02-13 在線留言詳細摘要: 簡要描述:單層氧化石墨烯乙醇溶液 Single Layer Graphene Oxide Ethanol Dispersion制備方法:改良的H法濃度為5mg/...
產品型號:ACSMaterial所在地:上海更新時間:2024-02-13 在線留言詳細摘要: 簡要描述:單層氧化石墨烯水溶液 Single Layer Graphene Oxide Water Dispersion新產品:gno1w001制備方法:改良的...
產品型號:ACSMaterial所在地:上海更新時間:2024-02-13 在線留言詳細摘要: 簡要描述:Semiconductor analog of graphene: Graphene oxide has been synthesized at ou...
產品型號:2D Semiconductor所在地:上海更新時間:2024-02-13 在線留言詳細摘要: 簡要描述:氧化石墨烯(進口) Graphite Oxide用H法制備,水溶性好直徑:0.5~5um厚度:1~3nm
產品型號:ACSMaterial所在地:上海更新時間:2024-02-12 在線留言詳細摘要: 簡要描述:單層石墨烯(進口) Single Layer Graphene高比表面積石墨烯制備方法:熱剝離還原與氫化還原BET比表面積(平方米/克):400~10...
產品型號:ACSMaterial所在地:上海更新時間:2024-02-12 在線留言詳細摘要: 簡要描述:石墨烯納米薄片(2~10nm) Graphene Nanoplatelets體積特性外觀:黑色和灰色粉末碳含量:>99.5%體積密度:0.10克/毫升...
產品型號:ACSMaterial所在地:上海更新時間:2024-02-12 在線留言詳細摘要: 簡要描述:單層石墨烯(石墨烯家族)Single Layer Graphene (Graphene Factory)BET比表面積(平方米/克):650 ~ 75...
產品型號:ACSMaterial所在地:上海更新時間:2024-02-12 在線留言詳細摘要: 簡要描述:高比表面積氧化石墨烯 High Surface Area Graphene Oxide制備方法:改良的H法高表面積氧化石墨烯直徑:1 ~ 5um厚度:...
產品型號:ACSMaterial所在地:上海更新時間:2024-02-12 在線留言詳細摘要: 簡要描述:工業級石墨烯 Industrial-Quality Graphene制備方法:熱剝離還原厚度(nm):≤3BET比表面積(平方米/克):~ 600電阻...
產品型號:ACSMaterial所在地:上海更新時間:2024-02-12 在線留言詳細摘要: 簡要描述:氮摻雜石墨烯粉末 Nitrogen-doped Graphene PowderBET比表面積(平方米/克):500 ~ 700電導率(S/m)gt; ...
產品型號:ACSMaterial所在地:上海更新時間:2024-02-12 在線留言詳細摘要: 簡要描述:單層氧化石墨烯(H法/進口) Single Layer Graphene Oxide (H Method)制備方法:改良的H法直徑:1~5um厚度:0...
產品型號:ACSMaterial所在地:上海更新時間:2024-02-12 在線留言詳細摘要: 簡要描述:氧化石墨烯(S法/進口) Graphene Oxide (S Method)制備方法:斯托登梅爾方法 外觀為灰綠色粉末直徑:1~5um厚度:0.8~1...
產品型號:ACSMaterial所在地:上海更新時間:2024-02-12 在線留言詳細摘要: 簡要描述:氧化石墨烯(S法/進口) Graphene Oxide (S Method)制備方法:斯托登梅爾方法外觀為灰綠色粉末直徑:1~5um厚度:0.8~1....
產品型號:ACSMaterial所在地:上海更新時間:2024-02-12 在線留言詳細摘要: 簡要描述:Semiconductor analog of graphene: Graphene oxide has been synthesized at ou...
產品型號:2D Semiconductor所在地:上海更新時間:2024-02-12 在線留言詳細摘要: 簡要描述:Carboxyl (-COOH) functionalized graphene has been developed at our faciliti...
產品型號:2D Semiconductor所在地:上海更新時間:2024-02-12 在線留言您感興趣的產品PRODUCTS YOU ARE INTERESTED IN
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