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HZ-L22多晶硅少子壽命測試儀、少子壽命測試儀、少子壽命測試儀價格、單晶多少子壽命測試儀
一、多金硅少子壽命測試儀產品特點: | ||
1、可測量太陽能級多晶硅塊、單晶硅棒少數載流子體壽命。表面無需拋光,直接對切割面或研磨面進行測量。 2、可測量太陽能級單晶及多晶硅片少數載流子的相對壽命,表面無需拋光、鈍化。 3、液晶屏上直接顯示少子壽命值,同時顯示動態光電導衰退波形。 | ||
二、多金硅少子壽命測試儀技術參數: | ||
配置兩種波長的紅外光源 1、1.07μm波長紅外光源,光穿透硅晶體深度較深≥500μm,有利于準確測量晶體少數載流子體壽命。 2、0.904~0.905μm波長紅外脈沖激光器,光穿透硅晶體深度較淺≈30μm,但光強較強,有利于測量低阻太陽能級硅晶體。 三、多金硅少子壽命測試儀 測量范圍: 1、研磨或切割面:電阻率≥0.5Ω·㎝的單晶硅棒、定向結晶多晶硅塊少子體壽命,切割片的少子相對壽命。 2、拋光面:電阻率在0.1~0.01Ω·㎝范圍內的硅單晶、鍺單晶拋光片。 四、多金硅少子壽命測試儀壽命可測范圍: 1、分體式:2μS—10ms 2、一體式:0.5μS—20ms |
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