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高阻抗本征硅 高阻硅片 高阻抗本征硅基片 高阻抗硅窗片 高阻硅窗片

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更新時間:2024-02-02 14:43:36瀏覽次數:169次

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產品簡介

高阻抗本征硅 高阻硅片 高阻抗本征硅基片 高阻抗硅窗片 高阻硅窗片

詳細介紹

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除了人造金剛石,高阻抗的本征硅(高阻硅)材料是適合極寬范圍從(1.2 µm) mm (1000 µm甚至8000 µm)波的各項同性晶體材料。和鉆石相比,它要便宜的多,并且生長制造更容易。而且他尺寸更大,更容易制造,THz技術的快速發展,就基于該優點。對于THz應用,我們提供在1000 µm (對于更長波長,3000甚至8000微米)透過率達到50-54%High Resistivity Float Zone Silicon (HRFZ-Si)。高阻抗浮區本征硅材料,和相關光學元件。


合成電解質硅的介電常數由傳導率決定(例如:自由電子-載流子濃度)。圖3顯示的是在1THz下,不同純度下的硅的介電常數.低摻雜的介電常數接近真實值,大約等于高頻介電常數。隨著摻雜濃度的提高,真實的介電常數將變成負數,而且不能被忽略。介電常數表征的是THz波的傳輸損耗特性。損耗系數可以用下面的公式計算:tanδ=1/(ω*εv*ε0*R), 這里 ω – 圓頻率, εv – 真空下的介電常數(8.85*10-12 F/m)。ε0 –硅的介電常數(11.67), R是電阻值。例如,1THz下,10 kOhm 阻值的HRFZ-Si損耗系數為1.54*10-5


1mm厚度的高阻抗本征硅窗片的太赫茲時域光譜儀測試數據

高阻抗本征硅產品

- 高阻抗硅襯底/基片/窗片

- 高阻抗硅球透鏡

- 高阻抗硅分束鏡

- 高阻抗硅鏡頭

1,高阻硅基片 2,高阻硅F-P標準具

3,高阻硅太赫茲半球透鏡 4,高阻硅太赫茲型透鏡

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關鍵詞:光譜儀
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