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BATOP反射鏡和長通濾光片

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更新時間:2024-03-01 14:14:42瀏覽次數:113次

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產品簡介

BATOP反射鏡和長通濾光片通常以砷化鎵(GaAs)晶體為基底,能被切成小塊矩形鏡片,也可定制按需求尺寸。BATOP提供寬帶鍍金膜反射鏡,AlAs / GaAs布拉格反射鏡,900nm長通濾光片和LT-GaAs低溫砷化鎵基片外延生長定制。這些反射鏡和濾光片尺寸通常只有1.3mmx 1.3mm~4.0mmx 4.0mm,卻擁有光滑的表面,良好的導熱率。

詳細介紹

德國BATOP公司的單晶砷化鎵基底產品主要分為:寬帶鍍金膜反射鏡,AlAs / GaAs布拉格反射鏡,900nm長通濾光片。

BATOP還可以在砷化鎵基底上提供生長AlAsGaAsInAs,AlGaAsAlInAs  InGaAs 等多種材料的高質量外延薄膜層。

如果需要尺寸只有幾毫米的反射鏡或長通濾波器,那么可以在單晶砷化鎵襯底上生產這種裝置。單晶砷化鎵的熱導率非常好,高達55w / (m * k) ,由于其立方晶體結構,可以被切割成小的矩形晶片。

 

寬帶鍍金膜反射鏡:

如果需要尺寸僅為幾mm的非常小的寬帶鏡,那么鍍金的GaAs芯片是合適的。 作為反射金層的基板的單晶GaAs晶片具有非常光滑的表面和55W /m * K)的良好導熱率。 它可以切割成小的正方形或矩形芯片。鍍金膜反射鏡可用作波長> 800 nm的寬帶反射器。隨著波長的增加,反射率還會不斷增加。BATOP提供未安裝的金鏡,標準基板厚度為450μm

 

可用芯片面積:

4.0mmx 4.0mm

2.0mmx 2.0mm

1.3mmx 1.3mm

根據要求定制尺寸

 

鍍金膜反射鏡型號:

型號

規格

價格

Au-M-4x4

? Thin gold film on single crystalline GaAs
? Chip area: 4 mm x 4 mm
? Chip thickness: 450 µm

 70

Au-M-2x2

? Thin gold film on single crystalline GaAs
? Chip area: 2 mm x 2 mm
? Chip thickness: 450 µm

 60

Au-M-1.3x1.3

? Thin gold film on single crystalline GaAs
? Chip area: 1.3 mm x 1.3 mm
? Chip thickness: 450 µm

 50

 

AlAs / GaAs布拉格反射鏡

如果需要尺寸只有幾毫米的非常小的高反射率反射鏡,那么 GaAs 芯片上的單晶 AlAs / GaAs布拉格反射鏡是合適的。單晶砷化鎵晶片具有非常光滑的表面和55w / m * k的良好熱導率。方便切割成各種尺寸,海納光學提供標準基片厚度為450μm的未安裝布拉格反射鏡

 

可用芯片面積:

4.0mmx 4.0mm

2.0mmx 2.0mm

1.3mmx 1.3mm

根據要求定制尺寸

1030nm AlAs / GaAs布拉格反射鏡型號:

型號

規格

價格

B-M-1030nm-4x4

? Single crystalline AlAs/GaAs Bragg mirror on GaAs
? Central wavelength λ = 1030 nm
? Chip area: 4 mm x 4 mm
? Chip thickness: 450 µm

 70

B-M-1030nm-2x2


? Single crystalline AlAs/GaAs Bragg mirror on GaAs
? Central wavelength λ = 1030 nm
? Chip area: 2 mm x 2 mm
? Chip thickness: 450 µm

 60

B-M-1030nm-1.3x1.3

? Single crystalline AlAs/GaAs Bragg mirror on GaAs
? Central wavelength λ = 1030 nm
? Chip area: 1.3 mm x 1.3 mm
Chip thickness: 450 µm

 50

 

900nm長通濾波片

長通吸收濾光片是用來去除長波長激光信號中的短波長光(例如剩余的泵浦光)。

我們的長通濾波器使用半絕緣砷化鎵晶體上的外延半導體吸收層。這種晶圓材料可以根據客戶的需要切成長方形的小片。 短波長的光被濾光片吸收,然后轉換成熱量。為了去除熱量,必須使用適當的金屬安裝件如散熱器。BATOP提供標準基片厚度為625μm的未安裝長通濾波器。

 

可用芯片區域:

5.0 mm x 5.0 mm

4.0毫米 x4.0毫米

2.0 mm x 2.0 mm

900nm長通濾光片型號:

LPF-900-5x5

LPF-900-4x4

LPF-900-2x2

GaAs襯底上使用900 nm長通濾波片

GaAs襯底上900 nm的長通濾波片

GaAs襯底上的900 nm長通濾波片

阻帶λ<880 nm 

阻帶λ<880 nm 

阻帶λ<880 nm 

通帶λ> 950 nm 

通帶λ> 950 nm 

通帶λ> 950 nm 

芯片面積:5 mm x 5 mm 

芯片面積:4 mm x 4 mm 

芯片面積:2 mm x 2 mm 

芯片厚度:625μ

芯片厚度:625μ

芯片厚度:625μ

 

5.0 mm × 5.0 mm 過濾器用1 / 2"1"銅散熱器,或定制尺寸

LPF-900-5x5-12.7gc

LPF-900-5x5-25.4gc

1/2“銅散熱片上的900nm長通濾波器

1英寸銅散熱片上的長通濾波器900nm

芯片面積5mmx 5mm

芯片面積5mmx 5mm

散熱片外徑12.7mm

散熱片外徑25.4mm

中心孔直徑4mm的散熱片

中心孔直徑4 mm的散熱片

安裝方法:膠合

安裝方法:膠合

 

LT-GaAs低溫砷化鎵基片外延生長定制

BATOP可在砷化鎵基底上提供生長 AlAs,GaAs,InAs,AlGaAs,AlInAs  InGaAs 等多種材料的高質量外延薄膜層,用于 GaAs 晶片的不同應用。某些應用需要快速時間響應器件,如光學探測器、飽和吸收器或光電導天線。我們提供低溫外延的生長設備,響應時間約為1 psBATOP提供的GaAs襯底上生長的一個或兩個單層的砷化鎵。

 

參數:

GaAs(砷化鎵)晶圓直徑: 2"4"

膜層厚度: 5μm

價格

2"(50.8mm) LT-GaAs 晶圓: 2000歐元

4"(100mm) LT-GaAs 晶圓片: 3500歐元

4"(100mm) LT-InGaAs 晶圓: 4000歐元

4"(100mm) LT-GaAs 晶片,定制金屬結構: 7000歐元

 

關鍵詞:芯片 散熱器

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