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BSO,Fe:LiNbO3,SBN,BGO晶體

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更新時間:2024-02-29 16:22:24瀏覽次數:196次

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產品簡介

optogama主要提供BSO,Fe:LiNbO 3,SBN和BGO這四種光折變晶體,光折變效應是通過光強度的空間變化來改變局部折射率的現象。觀察到相干光在光折射材料中相互干擾時會形成空間變化的照明模式。該效果可用于存儲臨時的可擦除全息圖,也稱為全息數據存儲。它也可以用于創建相位共軛鏡或光學空間孤子。

詳細介紹

BSO晶體、Fe:LiNbO 3晶體、SBN晶體、BGO晶體

 

Optogama提供4Lasers品牌的BSO,FeLiNbO3、SBNBGO晶體主要用于開發光折變效應的應用。光折變效應是一種通過光強的空間變化來改變局部折射率的現象。在光折變材料中,當相干光相互干擾時觀察到,光折變材料形成了空間變化的照明模式。這種效果可以用來存儲臨時的、可擦除的全息圖,也稱為全息數據存儲。它也可以用來制造相位共軛鏡或光學空間孤子。

硅酸鉍(Bi)12SiO20,bso)晶體是一種高效率的光導材料,暗導率低,允許大量的光誘導空間電荷的積累。巨大的光電導性和電光特性提高了BSO晶體的應用范圍:空間光調制器、光開關、相位共軛混合器。Optogama用改進的Czochralski法生長了BSO晶體,其孔徑可達3英寸。

鈮酸鋰(LiNbO)3摻雜鐵(FeLiNbO)LN晶體3)具有高的光折變靈敏度、高的電光系數和衍射效率、化學力學性能,是一種很有吸引力的光折變材料。FeLiNbO3晶體采用Czochralsky法生長,尺寸大。廣泛的可用摻雜劑和水平可以調整特定應用的材料性能。更重要的是,FeLinbo3晶體操作方便,成本低,適合批量生產。

SBN晶體晶體具有優良的光學和光折變性能。它們表面上是純的,被CeCrCoFe摻雜。不同成分的SBN晶體在電光、聲光、光折變、非線性光學等領域有著廣泛的應用。包裹體和其它非均勻性SBN晶體,采用改進的Stepanov法生長,線性尺寸可達40 mm。

鍺酸鉍(Bi12GeO20,BGO)晶體是具有低暗電導率的高效光電導體,可以積累大量光致空間電荷。

 

硅酸鉍晶體主要特點:

-高電光系數(r41=5pm/v)

-高相位共軛效率

-可在3“以下的大尺寸元件或晶片中使用。

-可根據要求定制

 

BSO晶體主要應用:

       -空間光調制器

-光開關

-相位共軛混合器。

 

BSO晶體的技術特性:

化學公式

Bi12SiO20

晶體結構

立方體,點編組23

晶格參數

10.10 a

密度

9.2/cm3

Mohs硬度

5

透明度范圍

0.45-6μm

折射率

2.5

光學活性

42deg/mm

電光系數

r41 = 5 pm/V

介電常數(低頻)

56

暗電阻

1014 Ohm cm

 

BSO晶體的產品規格:

透明孔徑

85 %

面尺寸公差

+0/-0.2毫米

厚度公差

±0.2毫米

平行度誤差

<30 arcsec

保護槽

<0.3 mm at 45°

表面質量

40-20 S-D

波前畸變

<λ/4@6328 nm

涂層

無涂層

 

硅酸鉍晶體產品型號

SKU

面尺寸

厚度

定向

價格(RMB

1558

30×30毫米

1.0毫米

[110]

5500

6880

20x20毫米

1.0毫米

[110]

4500

6881

20x20毫米

1.0毫米

[100]

4500

6882

10x10毫米

5毫米

[110]

6500

6883

10x10毫米

5毫米

[100]

6500

6884

5x5毫米

5毫米

[110]

4800

6885

5x5毫米

5毫米

[100]

4900

9095

30×30毫米

1.5毫米

[110]

5600

 

鈮酸鋰晶體主要特點:

-高電光系數(r41=5pm/v)

-高相位共軛效率

-可在3“以下的大尺寸元件或晶片中使用。

-可根據要求定制

LiNbO3晶體的主要應用:

-空間光調制器

-光開關

-全息記錄

-光波導

 

LiNbO3晶體技術特性:

化學公式

FeLiNbO3

晶體結構

三角形,3m

密度

4.64/cm3

Mohs硬度

5

透明度范圍

0.35-5.5μm

折射率@063μm

ne = 2.20, no = 2,29

電光系數

r22 = 6,8 pm/V,r31 = 10 pm/V,r33 = 32 pm/V

介電常數

e11 = 85,e33 = 30

 

鈮酸鋰晶體產品規格:

Fe2O3

0.1 mol. %0.05 mol. %,0.03 mol. %0.02 mol. %

定向

90°切割(X-切割,Y-切割)

透明孔徑

85 %

面尺寸公差

+0/-0.2毫米

厚度公差

±0.2毫米

平行度誤差

<3 arcmin

保護槽

<0.3 mm at 45°

表面質量

20-10 S-D

波前畸變

<λ/4@6328 nm

涂層

無,可根據要求提供抗反射或銦錫氧化物涂層

電極

無,可根據要求提供

 

鈮酸鋰晶體產品型號:

SKU

面尺寸

長度

摻雜水平

價格(RMB

4052

10x10毫米

5毫米

005%Fe2O3

請求

6457

10x10毫米

5毫米

0,02%Fe2O3

請求

6458

10x10毫米

5毫米

003%Fe2O3

請求

7005

10x10毫米

5毫米

01%Fe2O3

請求

7006

10x10毫米

1毫米

0,02%Fe2O3

4000

7007

10x10毫米

1毫米

0,03%Fe2O3

4000

7008

10x10毫米

1毫米

0,05%Fe2O3

4000

7009

10x10毫米

1毫米

01%Fe2O3

4000

7010

20x20毫米

1毫米

0,02%Fe2O3

請求

7011

20x20毫米

1毫米

0,03%Fe2O3

請求

7012

20x20毫米

1毫米

005%Fe2O3

請求

7013

20x20毫米

1毫米

0,1%Fe2O3

請求

 

 

SBN晶體的主要特點:

-Ce,Cr,Co,Fe純摻雜

-有效相位共軛

-定制尺寸,摻雜水平,無極化,減反射涂層和沒有電極晶體可根據要求

 

SBN晶體的主要應用:

-光學信息記錄

-熱釋電探測器

-自泵浦自共軛鏡

-光學相關器

 

SBN晶體的技術特性:

構圖

SBN61

SBN75

晶體結構

四邊形,4毫米

四邊形,4毫米

晶格參數

a = 12,46 ?, c = 3,946 ?

a = 12,43024 ?, c = 3,91341 ?

密度

5,4 g/cm3

5,4 g/cm3

Mohs硬度

5.5

5.5

熔化溫度

1480°C

1480°C

居里溫度

75°C

56℃

透光度范圍

0.45-5.5μm

0.4-5.5μm

折射率@633 nm

no = 2.3103,ne = 2.2817

no = 2.3117,ne = 2.2987

Δn@633 nm

-0.0286

-0.0130

傳動

0.45-5.5μm

0.4-5.5μm

半波電壓(λ/2)

240 V

60V

介電常數(T=293 K)

900

340

電光系數

R13=45 pm/V,R33=250 pm/V

R13=65 pm/V,R33=740 pm/V,r42=40 pm/V

熱釋電系數

0.065μC×cm-2×K-1

0.28μC×cm-2×K-1

介電常數

880

3400

 

SBN晶體的產品規格:

定向

沿四方軸的短邊

波林

極化

電極

碳水電極

透明孔徑

85%

面尺寸公差

+0/-0.2毫米

厚度公差

±0.2毫米

平行度誤差

<30 arcsec

保護槽

<0.1 mm at 45°

表面質量

20-10 S-D通過透明光圈,60-40 S-D其他表面

表面平整度

<λ/4@6328 nm

涂層

無涂層

 

SBN晶體的產品型號:

SKU

材料

面尺寸

長度

摻雜

價格(RMB)

6940

SBN61

5x5毫米

5毫米

CeO 2 0,002 wt,%

15000

6941

SBN61

5x5毫米

10毫米

CeO 2 0,002 wt,%

18500

6942

SBN61

5x5毫米

15毫米

CeO 2 0002 wt%

24000

6943

SBN61

5x5毫米

20毫米

CeO 2 0002 wt,%

30000

6944

SBN61

5x5毫米

5毫米

CeO 2 0,01 wt%

15000

6945

SBN61

5x5毫米

10毫米

CeO 2 0,01 wt,%

18800

6946

SBN61

5x5毫米

15毫米

CeO 2 0,01 wt,%

22000

6947

SBN61

5x5毫米

20毫米

CeO 2 0,01 wt,%

30000

6948

SBN61

5x5毫米

5毫米

CeO 2 0,1 wt,%

15000

6949

SBN61

5x5毫米

10毫米

CeO 2 01 wt,%

18500

6950

SBN61

5x5毫米

15毫米

CeO 2 0,1 wt%

24000

6951

SBN61

5x5毫米

20毫米

CeO 2 0,1 wt,%

30000

73

SBN61

5x5毫米

5毫米

未摻雜

15000

74

SBN61

5x5毫米

10毫米

未摻雜

18500

75

SBN61

5x5毫米

15毫米

未摻雜

24000

76

SBN61

5x5毫米

20毫米

未摻雜

30000

 

BGO晶體的主要特點:

-高電光系數(r41=3,5 pm/v)

-低暗電導

-大尺寸元件或晶片最多可達3

-可根據要求定制

 

BGO晶體的主要應用:

-空間光調制器

-光開關

-光學相關器

 

BGO晶體的技術特性:

化學公式

Bi12GeO20

晶體結構

立方體,點編組23

晶格參數

10.15 a

密度

9.2/cm3

傳輸范圍

0.45-7

折射率@0.63m

2,55

光學活性@500 nm

41.5/毫米

電光系數r41

3.5 pm/V

介電常數

40

暗電阻

1014 Ohm cm

 

BGO晶體的產品規格:

透明孔徑

85%

面尺寸公差

+0/-0.2毫米

厚度公差

±0.2毫米

平行度誤差

<30 arcsec

保護槽

<0.3 mm at 45°

表面質量

40-20 S-D

波前畸變

<λ/4@6328 nm

涂層

無涂層

 

BGO晶體的產品型號:

SKU

面尺寸

長度

定向

價格(RMB)

6868

5x5毫米

5毫米

[110]

5600

6871

5x5毫米

5毫米

[100]

5600

6872

10x10毫米

5毫米

[110]

8500

6873

10x10毫米

5毫米

[100]

8500

6874

20x20毫米

1毫米

[110]

5000

6875

20x20毫米

1毫米

[100]

5000

6876

30×30毫米

1毫米

[110],邊與<001>平面±2deg平行

6000

6877

30×30毫米

15毫米

[110]

6000



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