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Cr:YAG、V:YAG、Co:Spinel晶體

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更新時間:2024-02-29 16:17:08瀏覽次數:160次

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產品簡介

Cr:YAG晶體是Nd:YAG和其他摻雜Nd或Yb的0.8至1,2μm波長激光器的調Q開關的理想材料,其顯著特征之一是其高損傷閾值。V:YAG晶體是一種相對較新的可飽和吸收體和被動調Q開關的晶體材料,其光譜范圍為1064至1440 nm,這主要是因為其基態非常高。在約1300nm處的吸收峰周圍的吸收截面和激發態的吸收不明顯。Co:Spinel是一種新近開發的材料,已被證明是發射1.2-1.6 µm......

詳細介紹

Cr4+:YAG晶體, VYAG晶體, Co:Spinel晶體

 

Optogama公司提供了三款成熟的被動調Q晶體:Cr:YAG crystalsV:YAG crystalsCo:Spinel crystals

被動調Q開關晶體和可飽和吸收體一樣,可以被用作被動調Q激光器中的激光諧振腔質量調制器,其工作原理不同于主動調Q方式的電控調制器。通常,這些吸收材料的飽和通量(單位面積的飽和能量)很低,它們在聚焦光束中使用時會進一步降低飽和能量(飽和通量乘以光束面積)

Cr4 +YAG晶體中文名摻鉻釔鋁石榴石是波長在0.81,2μm激光器(NdYAG和其他摻雜NdYbQ開關的理想材料。 Cr4 +YAG有一個顯著的特征就是其高損傷閾值500-1000 MW / cm2。 它的吸收帶從800 nm延伸到1200 nm,在1060nm左右達到峰值,吸收峰截面積非常大。

V:YAG晶體中文名摻釩釔鋁石榴石是一種相對較新的晶體材料,適宜于1.061.44 μm激光發射,特別適應于1.3μm Nd激光器。在1300 nm左右的吸收峰附近,激發態的吸收峰截面不明顯。這種材料具有優異的光學、力學和熱性能。可以用Czochralski法生產。VYAG晶體用于NdYAGNdYAPNdKGWNdYVO 4等多種有源介質中,可獲得結構緊湊、性能優良的被動調Q激光器。

Co:Spinel晶體中文名叫鈷尖晶石是一種新型發展的材料,發射波長范圍在1.2-1.6μm,已經被證明是一種非常有效的被動調Q開關。它被廣泛用于對眼睛安全的Erglass激光器(1.54 µm),并且在波長1.44 µm1.34 µm的激光器上得到驗證。CoMalo(Co:尖晶石)具有高吸收截面,使得Er:玻璃激光器(閃光燈和二極管激光泵浦)Q開關,無需腔內聚焦,可忽略激發態吸收,導致Q開關的對比度高,即初始與飽和吸收信號的比率高于10

 

CrYAG晶體主要特點:

-500-1000 MW / cm2的高損傷閾值

-高穩定化學性和可靠性

-導熱性好,壽命長

-緊湊型無源Q開關

-操作容易

CrYAG晶體主要應用:

       -用于激光測距儀,LIDARLIBS系統的無源調Q激光器

-需要短脈沖的激光系統。

CrYAG晶體技術特性:

晶體結構

立方體

密度

456/厘米3

熱膨脹系數

6.14×10-6 K-1

熱導率

112 Wm-1K-1

莫氏硬度

8,2

折射率

1,82@1064NM

CrYAG晶體產品規格:

可用初始透射率

5-99%@1064 nm

初始傳輸誤差

±1%(大于80%)

通光孔徑

>90%

面尺寸公差

+0/-0.1毫米

平行度誤差

<10 arcsec

垂直度誤差

<10 arcmin

保護槽

<0,1 mm at 45?

 AR膜層

r<015%@1064 nm

表面質量

10-5 S-D

表面平整度

<λ/8@6328 nm

波前畸變

<λ/4@632,8

激光損傷閾值

>10 J/cm2@1064 nm10 ns

 

CrYAG晶體產品型號

SKU

面尺寸

初始傳輸

增透膜

價格 (RMB

7279

?3毫米

20%

AR/Ar@1064NM

1900

7280

?3毫米

30%

AR/Ar@1064NM

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?3毫米

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?3毫米

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3x3毫米

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3x3毫米

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AR/Ar@1064NM

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3x3毫米

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AR/Ar@1064NM

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3x3毫米

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AR/Ar@1064NM

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3x3毫米

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1900

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AR/Ar@1064NM

1900

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7311

?6 mm

98%

AR/Ar@1064NM

2150

 

VYAG晶體主要特點:

-高基態吸收

-不明顯激發態吸收

-Q開關的高對比度

-良好的光學、力學和熱性能

-耐紫外線高損傷閾值(>500 mW/cm)2)

VYAG晶體主要應用:

-用于激光測距儀、激光雷達和LIBS系統的被動調Q激光器

VYAG晶體技術特性:

晶體結構

立方體

密度

456/厘米3

熱膨脹系數

6.14×10-6 K-1

熱導率

112 Wm-1K-1

Mohs硬度

8,2

折射率

1,82@1064NM

VYAG晶體產品規格:

可用初始傳輸

30-98%@1340 nm

初始傳輸誤差

±1%(大于80%)

通光孔徑

>90%

面尺寸公差

+0/-01毫米

平行度誤差

<20 arcsec

垂直度誤差

<10 arcmin

保護槽

<0,1 mm at 45?

Ar涂層

r<02%@1310-1360 nm

表面質量

10-5 S-D

表面平整度

<λ/8@6328 nm

波前畸變

<λ/4@632,8

激光損傷閾值

>10 J/cm2@1064 nm10 ns

 

VYAG晶體產品型號:

SKU

面尺寸

初始傳輸

價格 (RMB

7312

3x3毫米

30%

5100

7313

3x3毫米

40%

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7320

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?5毫米

30%

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7322

?5毫米

40%

5100

7323

?5毫米

50%

5100

7324

?5毫米

60%

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7325

?5毫米

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5100

7326

?5毫米

80%

5100

7327

?5毫米

85%

5100

7328

?5毫米

90%

5100

7329

?5毫米

95%

5100

 

Co:Spinel晶體的主要特點:

-1.3至1.6m范圍內的低光學損耗

-高光損傷閾值

Co:Spinel晶體的主要應用:

-無源Q開關Er:玻璃@1.54m

Co:Spinel晶體的技術特性:

晶體結構

立方體

密度

358/厘米3

熱膨脹系數

6,14×10-6 K-1

熱導率

17 Wm-1K-1

Mohs硬度

8

折射率

1,6-1,75

Co:Spinel晶體的產品規格:

有效初裂

50-99%@1535 nm

初始傳輸誤差

±1%(大于80%)

有效孔徑

>90%

面尺寸公差

+0/-0.1毫米

平行度誤差

<20 arcsec

垂直度誤差

<10 arcmin

保護槽

<0,1 mm at 45?

AR膜層

r<0.15%@1535 nm

表面質量

20-10 S-D

表面平整度

<λ/8@6328 nm

波前畸變

<λ/4@6328 nm,通過透明光圈

激光損傷閾值

>8J/cm2@1535 nm10 ns

 

Co:Spinel晶體的產品型號:

SKU

面尺寸

初始傳輸

增透膜

價格 (RMB

7330

3x3毫米

70%

AR/Ar@1535NM

4150

7331

3x3毫米

80%

AR/Ar@1535NM

4150

7332

3x3毫米

85%

AR/Ar@1535NM

4150

7333

3x3毫米

90%

AR/Ar@1535NM

4150

7334

3x3毫米

92%

AR/Ar@1535NM

4150

7335

3x3毫米

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AR/Ar@1535NM

4150

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3x3毫米

97%

AR/Ar@1535NM

4150

7337

5x5毫米

70%

AR/Ar@1535NM

4600

7338

5x5毫米

80%

AR/Ar@1535NM

4600

7339

5x5毫米

85%

AR/Ar@1535NM

4600

7340

5x5毫米

90%

AR/Ar@1535NM

4600

7341

5x5毫米

92%

AR/Ar@1535NM

4600

7342

5x5毫米

95%

AR/Ar@1535NM

4600

7343

5x5毫米

97%

AR/Ar@1535NM

4600

7802

3x3毫米

98.5%@1522 nm

HT@976NM+HR@1522NM/HT@976NM+Ar@1522NM

6400



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