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深圳維爾克斯光電有限公司
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更新時間:2024-02-07 10:07:13瀏覽次數(shù):264次
聯(lián)系我時,請告知來自 環(huán)保在線陣列式PSD具有的內(nèi)置雜散光消除功能,而且SiTek位置敏感探測器陣列除了三維測量應(yīng)用,還可與線激光器或多束激光器一起使用,是一個不錯的選擇。
陣列式位敏探測器,16個一維PSD組成,用于高速三維輪廓測量
SiTek位置敏感探測器陣列(型號:1LA16-2,5_SU89)的規(guī)格參數(shù)表:
機械性能規(guī)格 | ||
規(guī)格 | 參數(shù) | 單位 |
分段數(shù)量Number of segments | 16 | |
每個分段的有效區(qū)域 | 2,5 x 0,39 | mm2 |
分段之間的間隙 | 10 | um |
電子技術(shù)規(guī)格 | |||||
規(guī)格 | 標(biāo)記Symbol | 最小值Min. | 典型Typ. | Max. | 單位Unit |
位置非線性 | | | 0.1 | 0.2 | % |
探測器電阻 | Rdet | 15 | 25 | 35 | k? |
漏電流 | Id | | 2 | 10 | nA |
噪音電流 | Inoise | | 0.8 | 1.1 | pA/√Hz |
響應(yīng)Responsivity | r | | 0.63 |
| A/W |
電容 | Cj | | 4 | 4.4 | pF |
上升時間(10%-90%) | tr | | 70 | 100 | ns |
交互式交流Cross talk | | | 0.5 | 1.0 | % |
偏置電壓(反向) | VR | 5 | 15 | 20 | V |
熱漂移 | | | 20 | 100 | ppm/°C |
額定值A(chǔ)bsolute maximum ratings | |||
規(guī)格 | 標(biāo)記Symbol | 參數(shù) | 單位 |
反向電壓Reverse voltage | VR-max | 30 | V |
工作溫度 | Toper | 70 | oC |
儲存溫度 | Tstg | 100 | oC |
測試條件:室溫23oC,偏置電壓15 V,光源波長940nm,位置非線性和熱漂移在探測器長度的80%范圍內(nèi)有效。
封裝:34針引腳DIP陶瓷基板,21.6x15.0mm2,帶保護(hù)窗。
陣列式PSD具有的內(nèi)置雜散光消除功能,而且SiTek位置敏感探測器陣列除了三維測量應(yīng)用,還可與線激光器或多束激光器一起使用,是一個不錯的選擇。
SiTek位置敏感探測器陣列(PSD-Array)也叫陣列式位敏探測器,由瑞典SiTek生產(chǎn),主要是由同一芯片上的16個平行一維PSD元件組成,只有一個型號,是1LA16-2,5_SU89。另外,SiTek探測器利用三角測量技術(shù),激光線或多個激光點在陣列式PSD上的反射將提供有關(guān)被照物體輪廓的信息,陣列式位敏探測器可以同時讀出16個元件,而且每個元件的響應(yīng)速度都很快,因此非常適合高速三維輪廓測量和平行移動物體(如懸臂)的測量等應(yīng)用。為確保高靈敏度,陣列探測器元件之間的間隙已最小化,使填充因子超過97%,同時還具有低串?dāng)_和與SiTek其他一維PSD相同的高線性度。
另外,為了在雜散光條件下也能保持性能,SiTek位敏探測器陣列采用了SiTek的內(nèi)置雜散光消除功能,這一設(shè)計消除了雜散光導(dǎo)致的速度和線性度下降。PSD陣列采用34針引腳雙列直插式陶瓷封裝,測量長度為2.5mm,還可以定制設(shè)計任何長度和數(shù)量的PSD元件。
SiTek 1LA16-2,5_SU89是一個陣列式位敏探測器,在同一芯片上有16個并行的一維PSD,這樣就能同時從16個分段讀出位置,并在各分段之間以較低的串?dāng)_進(jìn)行高速三維輪廓測量,每個分段都具有與SiTek標(biāo)準(zhǔn)一維PSD相同的高線性度和高速度。SiTek PSD陣列探測器具有SiTek的內(nèi)置雜散光消除功能,這一設(shè)計消除了雜散光導(dǎo)致的速度和線性度下降。而且,PSD陣列可與線激光器或多束激光器一起使用。
圖1:陣列式位敏探測器圖示
SiTek位置敏感探測器陣列主要應(yīng)用:
- 3D測量
- 高速三維輪廓測量
- 平行移動物體(如懸臂)的測量
圖2:應(yīng)用實例圖示
SiTek位置敏感探測器陣列的尺寸圖示:
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