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深圳維爾克斯光電有限公司
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更新時間:2024-02-07 10:00:34瀏覽次數(shù):85次
聯(lián)系我時,請告知來自 環(huán)保在線1900nm發(fā)光二極管SMB1N-1900D-02和SMB1N-1900D均采用聚酰胺樹脂SMD 封裝(PA9T)。Roithner 1900nmLED發(fā)光二極管帶有1000x1000μm的砷化鎵芯片(InGaAs chip)。
PA9T SMD封裝的Roithner發(fā)光二極管,1900nm波長,30mW高功率
1900nm發(fā)光二極管SMB1N-1900D-02和SMB1N-1900D均采用聚酰胺樹脂SMD 封裝(PA9T)。Roithner 1900nmLED發(fā)光二極管帶有1000x1000μm的砷化鎵芯片(InGaAs chip)。砷化鎵芯片技術以及采用耐熱聚酰胺 (PA9T) SMD封裝,底座尺寸均為5x5mm。該產(chǎn)品有SMB1N系列一如既往的的高功率。
SMB1N-1900D是一款基于InGaAsP的表面貼裝高功率紅外高功率LED,典型峰值波長為1900nm,光輸出功率為27mW@1A。Roithner 高功率發(fā)光二極管采用聚酰胺樹脂 SMD 封裝 (PA9T),帶有鍍銀焊盤(可無鉛焊接)、銅散熱器和硅樹脂模壓平窗。SMB1N-1900D-02的光輸出功率為30mW@1A。1900nm高功率LED SMB1N-1900D-02不僅采用聚酰胺樹脂SMD封裝(PA9T),帶有鍍銀焊盤(可無鉛焊接)、銅散熱器和硅樹脂模制透鏡,還可根據(jù)要求提供不同光束角度的其他變體。
Roithner LED SMB1N-1900D與SMB1N-1900D-02的區(qū)別是SMB1N-1900D-02含有透鏡,從而導致其光束角為±9°,而SMB1N-1900D的光束角為±64°。
Roithner 1900nm LED的主要特點:
-紅外高功率LED
-特定波長1900nm,光輸出功率27mW(SMB1N-1900D)或30mW(SMB1N-1900D-02)
-砷化鎵芯片(InGaAs chip),1x1mm
- PA9T SMD 封裝
-光束角±64°(SMB1N-1900D)或±9°(SMB1N-1900D-02)
1900nmLED發(fā)光二極管的額定值*:
參數(shù) | 符號 | 最小值 | 值 | 單位 |
功率耗散 | PD | | 1600 | mW |
正向電流 | IF | | 1000 | mA |
脈沖正向電流** | IFP | | 2000 | mA |
反向電壓 | UF | | 2 | V |
熱阻 | RTHJA | | 10 | K/W |
結(jié)溫 | TJ | | 120 | °C |
工作溫度 | TCASE | -40 | +85 | °C |
存儲溫度 | TSTG | -40 | +100 | °C |
引線焊接溫度 (tmax.5s) | TSLD | | +250 | °C |
*接近或超過這些參數(shù)的操作可能會損壞設備
**占空比=1%,脈沖寬度=10μs
1900nm高功率LED電子光學特性(TCASE = 25°C):
參數(shù) | 符號 | 條件 | 最小值 | 典型值 | 值 | 單位 |
峰值波長 | λP | IF=1 A | 1850 | | 1950 | nm |
半寬 | λΔ | IF=1 A | | 120 |
| nm |
正向電壓 | VF | IF=1 A | | 1.2 | 1.6 | V |
VFP | IFP=2 A* | | 1.6 |
| ||
總輻射功率 | PO | IF=1 A | 18 | 27 |
| mW |
IF=2 A* | | 47 |
| |||
輻射強度 | IE | IF=1 A | | / |
| mW/sr |
IF=2 A* | | / |
| |||
視角 | 2θ1/2 | IF=100 Ma | | 128 |
| deg. |
上升時間 | tr | IF=1 A | | 90 |
| ns |
下降時間 | tf | IF=1 A | | 30 |
| ns |
*占空比=1%,脈沖寬度=10μs
1900nmLED發(fā)光二極管的外形尺寸:
1900nm發(fā)光二極管SMB1N-1900D
紅外高功率Roithner LED典型性能曲線:
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