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六硼化鑭掃描電子顯微鏡

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更新時間:2023-06-15 17:39:38瀏覽次數:235次

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產品簡介

性能指標電鏡分辨率:2.0nm@30kV;5.0nm@3kV加速電壓:200V~30kV束流大小:1pA-2A景深:可達7mm電鏡檢測器:高真空二次電子檢測器(SE)、馬達驅動可伸縮式背散射電子探測器(BSE)(用于高真空和低真空)、低真空二次電子探測器(LVSTD,upto500Pa)樣品室紅外CCD探測器

詳細介紹

性能指標

  1. 電鏡分辨率: 2.0nm @ 30kV;5.0nm @ 3kV
  2. 加速電壓: 200V~30kV
  3. 束流大小: 1pA-2μA
  4. 景深:可達7mm
  5. 電鏡檢測器: 高真空二次電子檢測器(SE)、馬達驅動可伸縮式背散射電子探測器(BSE)(用于高真空和低真空)、低真空二次電子探測器(LVSTD, up to 500 Pa)樣品室紅外CCD探測器。
  6. 能譜: Oxford AZtec MaxN-80 

主要應用

  1. VEGA 3 – XMU (LaB6)型掃描電子顯微鏡兼具高、低真空兩種模式,適用于導電材料和非導電材料表面形貌的觀察,獲得表面形貌的二次電子像、背散射電子像。
  2. 擁有加強景深顯示模式,景深可達7mm以上,專門用于觀察高低落差大的樣品,比如金屬斷口、失效分析等。

樣品要求

  1. 樣品不得為具有磁性的粉末,并且不易被磁化,粉末中不得含有鐵(Fe)、鈷(Co)、鎳(Ni)。
  2. 樣品中不得含有水分。
  3. 樣品高度小于80mm,直徑小于130mm。
  4. 多孔類或易潮解的樣品,請提前真空干燥處理。
  5. 樣品應具有導電性。若樣品不導電,需要進行鍍金、碳等導電膜的處理(本中心也提供鍍膜服務,但需要另行收費)。

 

儀器說明

  1. VEGA 3 XMU (LaB6) 采用介于肖特基與鎢燈絲性能之間的LaB6(六硼化鑭)作為電子發射源。
  2. LaB6的優勢包括:比場發射電子源更穩定的電子發射源,在陰極較低溫度下可獲取比鎢燈絲電子源更高的束流,因此在各個不同加速電壓下和整個使用壽命中,LaB6都可以保持很高的亮度和分辨率。
  3. 配備能譜,可做常規元素分析。 

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