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富士電機(中國)有限公司
SiC器件具有出色的特性,能夠實現高耐壓、低功耗、高頻動作和高溫動作。使用SiC的功率半導體能夠實現大幅節能和安裝產品的小型化、輕量化。
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Package | Ic | 600V | 1200V |
---|---|---|---|
IGBT Hybrid Modules with SiC-SBD V series | |||
M712 | 35A | 7MSR35VB120-50 | |
50A | 7MSR50VB060-50 | 7MSR50VB120-50 | |
75A | 7MSR75VB060-50 | ||
100A | 7MSR100VB060-50 |
:新產品
:更新
:開發中
注: EconoPIM?為Infineon Technologies公司的注冊商標。
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Package | Ic | 1200V |
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IGBT Hybrid Modules with SiC-SBD V series | ||
M633 Solder pins | 100A | 6MSI100VB-120-50 |
:新產品
:更新
:開發中
注: EconoPACK?為Infineon Technologies公司的注冊商標。
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Package | Ic | 1200V | 1700V |
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IGBT Hybrid Modules with SiC-SBD V series | |||
M274 | 200A | 2MSI200VAB-120-53 | |
M276 | 300A | 2MSI300VAH-120C-53 | |
M254 | 300A | 2MSI300VAN-120-53 | |
450A | 2MSI450VAN-120-53 | 2MSI450VAN-170-53 | |
550A | 2MSI550VAN-170-53 | ||
600A | 2MSI600VAN-120-53 | ||
M277 | 400A | 2MSI400VE-170-53 | |
M256 | 1200A | 2MSI1200VAT-170PC | |
2MSI1200VAT-170EC |
:新產品
:更新
:開發中
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