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開啟式管式爐PECVD系統(tǒng)

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產(chǎn)品型號S-1200K-CVD

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更新時間：2023-03-16 12:26:53瀏覽次數(shù)：159次

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  化學氣相沉積系統(tǒng)PECVD

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產(chǎn)品簡介

開啟式管式爐PECVD系統(tǒng)由高溫管式爐,真空壓強控制系統(tǒng),多通道高精度數(shù)字質(zhì)量流量控制系統(tǒng),過壓保護及冷凝等部分組成,可實現(xiàn)真空達0.1mbar混合氣體化學氣相沉積和擴散試驗。

詳細介紹

功能特點：
在真空壓力下，加在電感線圈的射頻電場，使反應室氣體發(fā)生輝光放電，在輝光發(fā)電區(qū)域產(chǎn)生大量的電子。這些電子在電場的作用下獲得充足的能量，其本身溫度很高，它與氣體分子相碰撞，使氣體分子活化。它們吸附在襯底上，并發(fā)生化學反應生成介質(zhì)膜，副產(chǎn)物從襯底上解吸，隨主氣流由真空泵抽走，稱為等離子體增強化學氣相沉(PECVD)
產(chǎn)品用途：
PECVD開啟式管式爐系統(tǒng)由開啟式管式爐、高真空分子泵系統(tǒng)、射頻電源系統(tǒng)及多通道高精度數(shù)字質(zhì)量流量控制系統(tǒng)組成，是實驗室生長薄膜石墨烯，金屬薄膜，陶瓷薄膜，復合薄膜等的理想選擇。
適用于高校、科研院所用于真空鍍膜、納米薄膜材料制備，生長薄膜石墨烯，金屬薄膜，陶瓷薄膜，復合薄膜等，也可作為擴展等離子清洗刻蝕使用
產(chǎn)品參數(shù)