OTF-1200X-4-C4LVS 雙管爐是 一個特殊的雙管CVD系統,是專門為在金屬箔上生長薄膜而設計,特別是應用在新一代能源關于柔性金屬箔電極方面的研究。通過滑動爐子實現快速加熱和冷卻。請點擊下圖觀看爐子的工作原理。

特點:
雙管滑動式1200℃四通道混氣CVD系統- OTF -1200X-4- C4LVS
雙石英管:外管直徑100mm ,懸掛的內管直徑 80. 金屬箔纏繞在內管的外表面上發生CVD反應。2.雙管的真空密封法蘭:允許反應氣體通過兩管之間(10mm間隙)發生反應,冷卻氣體直接通入內 管
雙石英管:外管直徑100mm ,懸掛的內管直徑 80. 金屬箔纏繞在內管的外表面上發生CVD反應。2.雙管的真空密封法蘭:允許反應氣體通過兩管之間(10mm間隙)發生反應,冷卻氣體直接通入內 管
3.四通道質量流量計控制4路氣體。
4.配有KF25快接和波紋管的高速機械泵。
5.爐子底部裝有滑軌:爐子可以從一端滑向另一端,從而實現快速升溫和降溫.
技術參數
爐體 結構 | · 高純 Al2O3保溫材料,保證了爐膛有的溫度均勻性. · 爐子底部的冷卻風扇保證了熱量正常對外釋放. · 密封法蘭系統全不銹鋼制作。 | |||||||||
電源 | 電源:208-240VAC, 50/60Hz, 單相, 2.5KW ( 20A 保險絲) | |||||||||
加熱 溫度 | *高溫度: 1100°C 連續溫度: 1000°C | |||||||||
加熱區 | 加熱區長度: 440mm 恒溫區長度: 120mm (±1°C) @400~1100°C 選擇: 雙溫區爐可獲得t 240mm 的恒溫區 ![]() | |||||||||
加熱 和 冷卻 速度 | *快的加熱和冷卻速度跟工作溫度有關, 請點擊下圖可以看出*快的加熱和冷卻速度隨溫度的變化而變化。 ( 在使用爐子之前,要校準工作溫度和加熱、冷卻速度 ) | |||||||||
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加熱 | 冷卻 | |||||||||
石英管 | 外管: OD: 4"x ID: 3.8"X55" Length (OD100 x ID 96 x 1400, mm 內管: OD:3.15: x ID x 2.95" x 55" Length (OD80 x ID 75 x 1500 mm ) | |||||||||
真空 法蘭 | · 一對 SS304不銹鋼法蘭,通過用兩個高溫“O”型圈緊密密封可獲得高真空。 · 爐子底部裝有一對滑軌 · 爐子可以手動從一端滑向另一端,實現快速的加熱和冷卻。 · 為了得到較快的加熱速度,可以先將爐子預熱,然后滑到放置樣品的位置。 · 為了獲得較快的冷卻的速度,把爐子滑向另一端,同時將冷卻氣體通入樣品所在的位置。
極限真空度: 10^-2 torr (機械泵) 10^-5 torr (分子泵) | |||||||||
溫控儀 | · 溫控儀:帶超溫保護和PID調節的 30 段程序控制。 · 控溫精度: +/-1°C | |||||||||
混氣 系統 | 4路精密質子流量計:數字顯示、氣體流量自動控制. · MFC 1范圍: 0~100 sccm · MFC 2范圍: 0~200 sccm · MFC 3范圍: 0~200 sccm · MFC 4范圍: 0~500 sccm 氣路: 4 路 流量精度: 0.2% 進氣和出氣接口: 1/4" 卡套 一個混氣罐. 每路氣路都有一個獨立的不銹鋼針閥控制。 通過控制面板上的旋鈕來調節氣體流量. 請看下圖 MFC 面板(點擊放大) ![]() | |||||||||
真空泵 | · 安裝在移動架底部的機械泵,真空度達 10-3 Torr. · 真空泵與手動擋板閥之間用KF25 快接與不銹鋼波紋管連接 . · 數字真空表安裝在一端的法蘭上. · 選擇: 可以配分子泵,真空度達 10-5 Torr | |||||||||
作為基片用的25um厚的 銅箔 (選配) | 生長石墨烯的銅箔 (150m length x 150mm width x 25um thickness) ![]() | |||||||||
尺寸(mm) | 爐體: 550 x 380 x 520 移動架: 600x600x597 | |||||||||
凈重 | 300 lb | |||||||||
保修期 | 一年質保期 (耗材:如爐管,“O”型圈,和加熱元件等不在保修范圍內) | |||||||||
認證 | ![]() |