技術指標：

1. 分辨率

二次電子 (SE) 成像：

分辨率：1.0nm@30kV，分辨率：3.0nm@1kV

背散射電子（BSE）成像：分辨率：2.5nm@20kv 

2. 放大倍數

15 x -800,000 x，實時顯示屏幕放大倍數 

3. 加速電壓

0～30kV 

4. 電子槍

Schottky肖特基場發射電子槍；

自動調整功能：聚焦、亮度/對比度、消像散、動態聚焦、電子束對中等。 

5. 鏡筒

高性能透鏡系統

物鏡光闌：三個可在真空外調節，無需拆卸鏡筒即可更換物鏡光闌

6. 真空系統

2個離子泵，1個渦輪分子泵，1個機械泵；樣品室真空優于6×10^-4 Pa ，槍真空優于1×10^-6Pa。全自動真空控制，具有真空互鎖功能。 

7. 探測器

高真空二次電子探測器。

背散射電子探測器

紅外CCD檢測器

8. 自動樣品臺

五軸全自動預對中樣品臺，重復定位精度2μm。

行程：X≤ 75mm，Y≤ 75mm，Z≤ 60mm

旋轉：360°連續

傾斜： -5°～+75°

• 更多詳細參數請致電咨詢！