| 功率金屬氧化物場效應管 | 1 | 漏源間反向擊穿電壓 | 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3407.1 | 只測： -3.5kV～3.5kV |
| 半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 3407 | 只測： -3.5kV～3.5kV |
| 2 | 通態電阻 | 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3421.1 | 只測： 0～10k?,,0～1500A |
| 3 | 閾值電壓 | 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3404 | 只測： -10V～10V |
| 4 | 漏極反向電流 | 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3415.1 | 只測： -100mA～100mA |
| 5 | 柵極漏電流 | 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3411.1 | 只測： -100mA～101mA |
| 6 | 體二極管壓降 | 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 4011.4 | 只測： 0A～1500A |
| 7 | 跨導 | 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3475.2 | 只測： 1ms～1000s |
| 8 | 開關時間 | 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3472.2 | 只測： VD：5V～3.3kV， ID：100mA～1500A |
| 9 | 半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 3472 | 只測： VD：5V～3.3kV， ID：100mA～1500A |
| 10 | 體二極管反向恢復時間 | 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3473.1 | 只測： 10ns～2µs |
| 11 | 體二極管反向恢復電荷 | 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3473.1 | 只測： 1nC～100µC |
| 12 | 柵極電荷 | 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3471.3 | 只測： Qg：0.5nC～500nC |
| 13 | 單脈沖雪崩能量 | 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3470.2 | 只測： L：0.01mH～159.9mH， Ias：0.1A～1500A |
| 14 | 柵極串聯等效電阻 | 功率MOSFET柵極串聯等效電阻測試方法 JESD24-11:1996(R2002) | 只測： 0.1Ω～50Ω |
| 15 | 穩態熱阻 | 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3161.1 | 只測： Ph：0.1W～250W |
| 16 | 半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 3161 | 只測： Ph：0.1W～250W |
| 17 | 輸入電容 | 半導體器件 分立器件 第8部分：場效應晶體管 IEC 60747-8:2010 6.3.10 | 只測： -3kV～3kV,0～1MHz |
| 18 | 輸出電容 | 半導體器件 分立器件 第8部分：場效應晶體管 IEC 60747-8:2010 6.3.11 | 只測： -3kV～3kV,0～1MHz |
| 19 | 反向傳輸電容 | 半導體器件 分立器件 第8部分：場效應晶體管 IEC 60747-8:2010 6.3.12 | 只測： -3kV～3kV,0～1MHz |
| 20 | 老煉試驗 | 半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 1042 | 只測： 條件A、條件B， Vdsmax：3500V， Tjmax：200℃ |
| 21 | 溫度，反偏和操作壽命試驗 JESD22-A108F:2017 | 只測： HTRB和HTGB試驗 |
| 22 | 間歇功率試驗 | 半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 1042 | 只測： 條件D（間歇功率） |
| 23 | 穩態功率試驗 | 半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 1042 |
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