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ME50P06/ME50P06-G,P溝道mos管60V(D-S)MOSFETME50P06-G介紹:ME50P06是使用高單元密度DMOS溝槽技術生產的P通道邏輯增強模式功率場效應晶體管
ME50P06 / ME50P06-G,P溝道mos管 60V(D-S)MOSFET
ME50P06-G介紹:
ME50P06是使用高單元密度DMOS溝槽技術生產的P通道邏輯增強模式功率場效應晶體管。 這種高密度工藝經過特別設計,可地降低導通電阻。 這些器件特別適合于低電壓應用,例如蜂窩電話和筆記本計算機電源管理以及其他電池供電的電路,并且在非常小的外形表面安裝封裝中需要低的在線功率損耗。
ME50P06-G特征:
●RDS(ON)≦17mΩ@ VGS = -10V
●RDS(ON)≦20mΩ@VGS=-4.5V●超高密度電池設計,極低的RDS(ON)
●出色的導通電阻和直流電流能力
ME50P06-G應用領域:
●筆記本中的電源管理
●DC / DC轉換器
●負荷開關
●液晶顯示逆變器
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