當前位置：深圳市泰德蘭電子有限公司>>DFN3*3>>中國臺灣松木MOS管 ME7900EN數(shù)據(jù)手冊規(guī)格書ME7900EN中文資料pdf

中國臺灣松木MOS管 ME7900EN數(shù)據(jù)手冊規(guī)格書ME7900EN中文資料pdf

返回列表頁

參考價

面議

具體成交價以合同協(xié)議為準

產品型號ME7900EN

品牌

廠商性質代理商

所在地

在線詢價收藏產品查看聯(lián)系電話

聯(lián)系方式：楊澤銘查看聯(lián)系方式

更新時間：2022-03-24 11:48:27瀏覽次數(shù)：109次

聯(lián)系我時，請告知來自環(huán)保在線

產品分類 品牌分類

  DFN3*3

全部產品列表

暫無信息

深圳市泰德蘭電子有限公司

經營模式：代理商

商鋪產品：525條

所在地區(qū)：廣東深圳市

聯(lián)系人：楊澤銘（銷售經理）

詢價 給他留言

產品簡介

TheME7900ENistheN-Channellogicenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusinghighcelldensity,DMOStrrencetechnology

詳細介紹

The ME7900EN is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density,DMOS trrence technology.This high density process is especially tailored to minimimze on-state resistance.These devices are particularly suited for low voltge application such as cellular phone and notebook computer power management and other battery powered circuits where high-side switching,ａnd low in-line power loss are needed in a veery small outline surface mount package.

應用：

●筆記本中的電源管理

●電池供電系統(tǒng)

●DC/DC轉換器低壓側開關

●負荷開關

● RDS(ON)≦22m?@VGS=4.5V

● RDS(ON)≦23mΩ@VGS=4V

● RDS(ON)≦25m?@VGS=3.1V

● RDS(ON)≦30mΩ@VGS=2.5V

● Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

● Exceptional on-resistance and maximum DC current capability

關鍵詞：電池負荷開關