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中國臺灣松木MOS管 ME3587數據手冊規格書ME3587中文資料pdf

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具體成交價以合同協議為準

產品型號ME3587

品       牌

廠商性質代理商

所  在  地

聯系方式:楊澤銘查看聯系方式

更新時間:2022-03-24 10:45:25瀏覽次數:184次

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經營模式:代理商

商鋪產品:523條

所在地區:廣東深圳市

聯系人:楊澤銘 (銷售經理)

產品簡介

TheME3587istheN-andP-Channellogicenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusinghighcelldensity,DMOStrenchtechnology

詳細介紹

  • The ME3587 is the N- and P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density ,DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and notebook computer power management and other battery powered circuits where low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.


    應用:

    ●筆記本中的電源管理


    ●便攜式設備


    ●電池供電系統


    ●負荷開關


    ●差示掃描量熱儀


    ●液晶顯示逆變器


  • ● RDS(ON) ≦45mΩ@VGS=4.5V (N-Ch)

    ● RDS(ON) ≦68mΩ@VGS=2.5V (N-Ch)

    ● RDS(ON) ≦120mΩ@VGS=1.8V (N-Ch)

    ● RDS(ON) ≦110mΩ@VGS=-4.5V (P-Ch)

    ● RDS(ON)≦130mΩ@VGS=-2.5V (P-Ch)

    ● RDS(ON) ≦170mΩ@VGS=-1.8V (P-Ch)

    ● Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

    ● Exceptional on-resistance and maximum DC current capability


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