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中國臺灣松木MOS管 ME3500數據手冊規格書ME3500中文資料pdf

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產品型號ME3500

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聯系方式：楊澤銘查看聯系方式

更新時間：2022-03-24 10:43:50瀏覽次數：166次

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深圳市泰德蘭電子有限公司

經營模式：代理商

商鋪產品：525條

所在地區：廣東深圳市

聯系人：楊澤銘（銷售經理）

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產品簡介

TheME3500istheN-andP-Channellogicenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusinghighcelldensity,DMOStrenchtechnology

詳細介紹

The ME3500 is the N- and P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density ,DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and notebook computer power management and other battery powered circuits where high-side switching, and low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.

應用：

●筆記本中的電源管理

●便攜式設備

●DC/DC轉換器

●負荷開關

●差示掃描量熱儀

●液晶顯示逆變器

● RDS(ON) ≦35mΩ@VGS=10V (N-Ch)

● RDS(ON) ≦52mΩ@VGS=4.5V (N-Ch)

● RDS(ON) ≦70mΩ@VGS=-10V (P-Ch)

● RDS(ON) ≦95mΩ@VGS=-4.5V (P-Ch)

● Super high density cell design for extremely low RDS(ON)