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深圳市泰德蘭電子有限公司
TheME15N10istheN-Channellogicenhancementmodepowerfieldeffecttransistors,usinghighcelldensity,DMOStrenchtechnology
The ME15N10 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors,using high cell density,DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on state resistance.These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone, notebook computer power management and other battery powered circuits,and low in-line power loss that are needed in a very small outline surface mount package.
ME15N10是N通道邏輯增強型功率場效應晶體管,采用高單元密度、DMOS溝道技術。這種高密度工藝特別適合于最小化導通電阻。這些設備特別適合于低電壓應用,如蜂窩電話、筆記本電腦電源管理和其他電池供電電路,以及非常小的外形表面貼裝封裝所需的低串聯功耗。
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● RDS(ON)≦100mΩ@VGS=10V
● Super high density cell design for extremely low RDS(ON)
● Exceptional on-resistance and maximum DC current capability
應用:
●筆記本中的電源管理
●DC/DC轉換器
●負荷開關
●液晶顯示逆變器
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