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中國(guó)臺(tái)灣松木MOS管 ME12N04數(shù)據(jù)手冊(cè)規(guī)格書(shū)ME12N04中文資料pdf

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產(chǎn)品型號(hào)ME12N04

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更新時(shí)間：2022-03-24 10:32:35瀏覽次數(shù)：172次

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深圳市泰德蘭電子有限公司

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

TheME12N04istheN-Channellogicenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusinghighcelldensity,DMOStrenchtechnology

詳細(xì)介紹

The ME12N04 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density,DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance.These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and notebook computer power management and other battery powered circuits where high-side switching,ａnd low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.

應(yīng)用：

●筆記本中的電源管理

●便攜式設(shè)備

●電池供電系統(tǒng)

●DC/DC轉(zhuǎn)換器

●負(fù)荷開(kāi)關(guān)

●液晶顯示逆變器

● RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V (N-Ch)

● RDS(ON)=52mΩ@VGS=4.5V (N-Ch)

● Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

● Exceptional on-resistance and maximum DC current capability

關(guān)鍵詞：電池負(fù)荷開(kāi)關(guān) 逆變器