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中國臺灣松木MOS管 ME06N30數據手冊規格書ME06N30中文資料pdf

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產品型號ME06N30

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更新時間：2022-03-24 10:28:14瀏覽次數：125次

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產品簡介

TheME06N30istheN-Channellogicenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusinghighcelldensity,DMOStrenchtechnology

詳細介紹

The ME06N30 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density,DMOS trench technology.This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance.

ME06N30是一種N通道邏輯增強型功率場效應晶體管，采用高密度DMOS溝道技術制造，這種高密度工藝特別適合于最小化導通電阻。

應用：

●電源管理

●DC/DC轉換器

● RDS(ON)≦1.25Ω@VGS=10V

● Super high density cell design for extremely low RDS(ON)



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