MOSFET經(jīng)常用于不同類(lèi)型電機(jī)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，本文將為您介紹多款由安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）所推出的MOSFET的功能特性。
不同電機(jī)規(guī)格搭配不同的功率MOSFET
通過(guò)使用MOSFET這類(lèi)的功率開(kāi)關(guān)組件，對(duì)MOSFET進(jìn)行導(dǎo)通或關(guān)斷，可調(diào)節(jié)電機(jī)繞組所加電壓，以實(shí)現(xiàn)電機(jī)轉(zhuǎn)速或轉(zhuǎn)軸位置的控制，可用于直流有刷電機(jī)、直流無(wú)刷電機(jī)、步進(jìn)電機(jī)、開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)，以及交流感應(yīng)電機(jī)的驅(qū)動(dòng)控制。
即使電機(jī)的類(lèi)型不同，驅(qū)動(dòng)電路的功能都是向電機(jī)繞組提供可控的電壓和電流。電壓和電流值會(huì)根據(jù)所用電機(jī)的類(lèi)型和尺寸而有所變化，因此在選擇MOSFET之時(shí)，必須先確認(rèn)驅(qū)動(dòng)電機(jī)所需的功率，才能選擇合適的功率開(kāi)關(guān)組件。由于不同電機(jī)類(lèi)型的電壓和電流額定值不同，因此應(yīng)根據(jù)應(yīng)用和設(shè)計(jì)目標(biāo)的要求，選擇具有特定額定值的驅(qū)動(dòng)器件。
多種規(guī)格滿足不同電機(jī)應(yīng)用需求
安森美半導(dǎo)體擁有多樣規(guī)格的MOSFET功率器件，針對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用，這些MOSFET都具有低RDS(on)以最小化導(dǎo)通損耗，低QG和低輸入電容，可最小化開(kāi)關(guān)損耗，減少驅(qū)動(dòng)器損失，這些器件均是無(wú)鉛、無(wú)鹵素／無(wú)溴化阻燃劑，且符合RoHS要求等特性，以下將為您介紹幾款常用的MOSFET供您選擇。
NTMFS5C404N是一款單N溝道的功率MOSFET，支持40V、378A、0.7mΩ，具有面積小（5x6毫米）的緊湊設(shè)計(jì)，結(jié)溫為175℃，可為具備熱挑戰(zhàn)應(yīng)用，提供更大的設(shè)計(jì)余量。
NTMFS5C404NL則是一款單N溝道的功率MOSFET，支持40V、370 A、0.67 mΩ，具有5x6毫米的小面積緊湊設(shè)計(jì)。NTMFS5C404NL與NTMFS5C404N都可應(yīng)用于負(fù)載點(diǎn)模塊、高性能DC-DC轉(zhuǎn)換器、次級(jí)同步整流、直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)，終端產(chǎn)品則為網(wǎng)通、電信設(shè)備、服務(wù)器與手持式電動(dòng)工具等。
NTMFS5C604N則是一款60V、280A、1.2mΩ、單N溝道，采用SO8-FL封裝的功率MOSFET，適用于緊湊和高效設(shè)計(jì)的商業(yè)應(yīng)用，安裝在5x6mm扁平引線封裝中，且具有較高的熱性能。NTMFS5C604N采用小面積的5x6毫米緊湊設(shè)計(jì)，可應(yīng)用于電機(jī)控制、電源開(kāi)關(guān)（高側(cè)驅(qū)動(dòng)器、低側(cè)驅(qū)動(dòng)器、H-Bridge等）、同步整流器，終端產(chǎn)品則為開(kāi)關(guān)電源、電動(dòng)工具、太陽(yáng)能逆變器、電池管理等。
NTBLS0D7N06C則是一款單路、N通道，采用TOLL封裝，支持60 V，0.75 mΩ、470 A的功率MOSFET，可降低開(kāi)關(guān)噪聲／EMI。典型應(yīng)用為電池負(fù)載開(kāi)關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)，終端產(chǎn)品為用電池操作的電動(dòng)工具、電池供電的真空吸塵器，無(wú)人航空載具（UAV）／無(wú)人機(jī)、物料搬運(yùn)、電池管理系統(tǒng)（BMS）／存儲(chǔ)、家庭自動(dòng)化等。
Power Trench工藝結(jié)合屏蔽閘極技術(shù) (T6 MOSFETs)
安森美半導(dǎo)體還擁有一系列采用Power Trench工藝生產(chǎn)的MOSFET功率器件，該工藝結(jié)合了屏蔽閘極溝槽技術(shù)，此工藝經(jīng)過(guò)了優(yōu)化，可降低導(dǎo)通電阻，同時(shí)可保持的開(kāi)關(guān)性能，以及具備業(yè)內(nèi)的軟體二極管，這些MOSFET的RDS(on)更低，效能更佳。
NTMTS0D4N04C是一款單N溝道、40V、558A、0.45mΩ，采用Power Trench工藝生產(chǎn)的薄型PQFN 8x8封裝的功率MOSFET，具有8x8毫米的小面積緊湊設(shè)計(jì)，擁有高峰值電流和低寄生電感，結(jié)溫為175℃，可為熱挑戰(zhàn)應(yīng)用提供更大的設(shè)計(jì)余量，采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的Power 88封裝。NTMTS0D4N04C可應(yīng)用于電機(jī)控制、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電池管理／保護(hù)、動(dòng)力轉(zhuǎn)向／負(fù)荷開(kāi)關(guān)，終端產(chǎn)品包括電動(dòng)工具、電動(dòng)踏板車(chē)、無(wú)人機(jī)、電池管理／保護(hù)、網(wǎng)通、電信設(shè)備與電源供應(yīng)器等。
NTMTS0D4N04CL同樣是一款單N溝道功率MOSFET 40V，支持553.8A、0.4mΩ，采用PQFN 8x8封裝，它與NTMTS0D4N04C都采用了Power Trench工藝生產(chǎn)，因此具有相同的特性，可保持出色的開(kāi)關(guān)性能。NTMTS0D4N04CL的占用面積小，為8x8毫米的緊湊設(shè)計(jì)。典型應(yīng)用包括電動(dòng)工具、電池供電的真空吸塵器、UAV／無(wú)人機(jī)、物料搬運(yùn)、BMS／存儲(chǔ)、家庭自動(dòng)化等。
NTMTS0D7N06C是一款單N溝道的功率MOSFET，支持60V、464 A、0.72mΩ，采用PQFN 8x8封裝，這款N溝道T6 60V中壓MOSFET是使用安森美半導(dǎo)體的*Power Trench工藝生產(chǎn)，采用薄型PQFN 8x8封裝的緊湊設(shè)計(jì)，具備高峰值電流和低寄生電感，可為熱挑戰(zhàn)應(yīng)用提供更大的設(shè)計(jì)余量，結(jié)溫為175℃。
NTMTS0D7N06CL則是單N溝道，60V、477A、0.68mΩ，采用薄型PQFN 8x8封裝的功率MOSFET，此N溝道T6 60V MV MOSFET也是使用安森美半導(dǎo)體*的Power Trench工藝生產(chǎn)的，擁有與NTMTS0D7N06C相似的特性。NTMTS0D7N06CL占用面積小（8x8毫米），設(shè)計(jì)相當(dāng)緊湊，結(jié)溫為175℃，具備高峰值電流和低寄生電感，可為熱挑戰(zhàn)應(yīng)用提供更大的設(shè)計(jì)余量，采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的Power 88封裝。
NTMTS0D7N06C與NTMTS0D7N06CL的典型應(yīng)用包括電機(jī)控制、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電池管理／保護(hù)、動(dòng)力轉(zhuǎn)向／負(fù)荷開(kāi)關(guān)，終端產(chǎn)品包括電動(dòng)工具、電池供電的真空吸塵器、電動(dòng)踏板車(chē)、UAV／無(wú)人機(jī)、物料搬運(yùn)、BMS／存儲(chǔ)、電池組／儲(chǔ)能單元、電信、網(wǎng)通設(shè)備、電源供應(yīng)器、家庭自動(dòng)化等。
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