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MOSFET精準控制電機驅動應用,根據電機控制應用需求選擇合適的MOSFET

閱讀:64發布時間:2023-1-5

  MOSFET經常用于不同類型電機的電機驅動器,本文將為您介紹多款由安森美半導體(ON Semiconductor)所推出的MOSFET的功能特性。


  不同電機規格搭配不同的功率MOSFET


  通過使用MOSFET這類的功率開關組件,對MOSFET進行導通或關斷,可調節電機繞組所加電壓,以實現電機轉速或轉軸位置的控制,可用于直流有刷電機、直流無刷電機、步進電機、開關磁阻電機,以及交流感應電機的驅動控制。


  即使電機的類型不同,驅動電路的功能都是向電機繞組提供可控的電壓和電流。電壓和電流值會根據所用電機的類型和尺寸而有所變化,因此在選擇MOSFET之時,必須先確認驅動電機所需的功率,才能選擇合適的功率開關組件。由于不同電機類型的電壓和電流額定值不同,因此應根據應用和設計目標的要求,選擇具有特定額定值的驅動器件。


  多種規格滿足不同電機應用需求


  安森美半導體擁有多樣規格的MOSFET功率器件,針對電機驅動應用,這些MOSFET都具有低RDS(on)以最小化導通損耗,低QG和低輸入電容,可最小化開關損耗,減少驅動器損失,這些器件均是無鉛、無鹵素/無溴化阻燃劑,且符合RoHS要求等特性,以下將為您介紹幾款常用的MOSFET供您選擇。


  NTMFS5C404N是一款單N溝道的功率MOSFET,支持40V、378A、0.7mΩ,具有面積小(5x6毫米)的緊湊設計,結溫為175℃,可為具備熱挑戰應用,提供更大的設計余量。



  NTMFS5C404NL則是一款單N溝道的功率MOSFET,支持40V、370 A、0.67 mΩ,具有5x6毫米的小面積緊湊設計。NTMFS5C404NL與NTMFS5C404N都可應用于負載點模塊、高性能DC-DC轉換器、次級同步整流、直流電機驅動,終端產品則為網通、電信設備、服務器與手持式電動工具等。


  NTMFS5C604N則是一款60V、280A、1.2mΩ、單N溝道,采用SO8-FL封裝的功率MOSFET,適用于緊湊和高效設計的商業應用,安裝在5x6mm扁平引線封裝中,且具有較高的熱性能。NTMFS5C604N采用小面積的5x6毫米緊湊設計,可應用于電機控制、電源開關(高側驅動器、低側驅動器、H-Bridge等)、同步整流器,終端產品則為開關電源、電動工具、太陽能逆變器、電池管理等。


  NTBLS0D7N06C則是一款單路、N通道,采用TOLL封裝,支持60 V,0.75 mΩ、470 A的功率MOSFET,可降低開關噪聲/EMI。典型應用為電池負載開關、電機驅動,終端產品為用電池操作的電動工具、電池供電的真空吸塵器,無人航空載具(UAV)/無人機、物料搬運、電池管理系統(BMS)/存儲、家庭自動化等。


  Power Trench工藝結合屏蔽閘極技術 (T6 MOSFETs)


  安森美半導體還擁有一系列采用Power Trench工藝生產的MOSFET功率器件,該工藝結合了屏蔽閘極溝槽技術,此工藝經過了優化,可降低導通電阻,同時可保持的開關性能,以及具備業內的軟體二極管,這些MOSFET的RDS(on)更低,效能更佳。


  NTMTS0D4N04C是一款單N溝道、40V、558A、0.45mΩ,采用Power Trench工藝生產的薄型PQFN 8x8封裝的功率MOSFET,具有8x8毫米的小面積緊湊設計,擁有高峰值電流和低寄生電感,結溫為175℃,可為熱挑戰應用提供更大的設計余量,采用業界標準的Power 88封裝。NTMTS0D4N04C可應用于電機控制、DC-DC轉換器、電池管理/保護、動力轉向/負荷開關,終端產品包括電動工具、電動踏板車、無人機、電池管理/保護、網通、電信設備與電源供應器等。


  NTMTS0D4N04CL同樣是一款單N溝道功率MOSFET 40V,支持553.8A、0.4mΩ,采用PQFN 8x8封裝,它與NTMTS0D4N04C都采用了Power Trench工藝生產,因此具有相同的特性,可保持出色的開關性能。NTMTS0D4N04CL的占用面積小,為8x8毫米的緊湊設計。典型應用包括電動工具、電池供電的真空吸塵器、UAV/無人機、物料搬運、BMS/存儲、家庭自動化等。


  NTMTS0D7N06C是一款單N溝道的功率MOSFET,支持60V、464 A、0.72mΩ,采用PQFN 8x8封裝,這款N溝道T6 60V中壓MOSFET是使用安森美半導體的*Power Trench工藝生產,采用薄型PQFN 8x8封裝的緊湊設計,具備高峰值電流和低寄生電感,可為熱挑戰應用提供更大的設計余量,結溫為175℃。


  NTMTS0D7N06CL則是單N溝道,60V、477A、0.68mΩ,采用薄型PQFN 8x8封裝的功率MOSFET,此N溝道T6 60V MV MOSFET也是使用安森美半導體*的Power Trench工藝生產的,擁有與NTMTS0D7N06C相似的特性。NTMTS0D7N06CL占用面積小(8x8毫米),設計相當緊湊,結溫為175℃,具備高峰值電流和低寄生電感,可為熱挑戰應用提供更大的設計余量,采用業界標準的Power 88封裝。


  NTMTS0D7N06C與NTMTS0D7N06CL的典型應用包括電機控制、DC-DC轉換器、電池管理/保護、動力轉向/負荷開關,終端產品包括電動工具、電池供電的真空吸塵器、電動踏板車、UAV/無人機、物料搬運、BMS/存儲、電池組/儲能單元、電信、網通設備、電源供應器、家庭自動化等。



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