1. 超低溫情況下：
由于晶圓在超低溫情況下進行探測，水氣將會出現并且將會凍結晶圓。水氣將會影響測量，導致測量失敗。真空倉中的水氣將通過真空泵排出，真空泵必須具備長時間測量的要求。
2. 高溫情況下：
當晶圓加熱超過300攝氏度， 400攝氏度， 500攝氏度或者更高溫度時，會發生很強烈的氧化。溫度越高，越加大硅片表面的氧化，氧化將使晶圓降低電學性，物理性和機械性。真空倉中的氧氣通過真空泵來排出。真空泵必須能夠保持長時間的測量要求。
由于卡盤將被熱量所控制，應用于超低溫和高溫的環境，在晶圓上探針由于晶圓的收縮和膨脹，將需要一定的改變位置。因此，一些探針將需要通過真空倉之外的探針座的三軸控制旋鈕重新定位。外部的機動探針座可通過拉桿控制系統輕松地重新定位真空倉中的探針。
特點：
三種溫度范圍可選擇：
77K—480K (-196℃—200℃)
77K—780K (-196℃—500℃)
77K—1080K (-196℃—800℃)
所有框架采用焊接以保證堅固的結構
通過外置探針座來控制探針重新定位
橋型結構顯微鏡以方便打開真空倉
顯微鏡可通過鏡臺控制精確地移動，X-Y軸移動范圍 1英寸—1英寸
可升級到6個探針座
雙屏蔽chuck高低溫時達到10pA精度
可選擇防震桌
可選擇高真空倉
詳細說明：
卡盤直徑40mm
溫度的精度為0.1度
液氮瓶50升
探針座X-Y-Z三軸移動范圍：25mmx25mmx25mm，精度10微米
顯微鏡X-Y軸移動范圍：1英寸x1英寸
連續變焦：0.8X—5X
目鏡：20X
總放大倍數：16X—100X
150W燈源箱
雙分支鵝頸管燈源
規格：
尺寸：1300mm長x1100mm寬x1500mm高
重量：300Kg
配置：
電源：220V、60Hz、1500W
液氮：50升
氮氣罐
操作說明：
1. 溫度控制單元：
當需要溫度達到室溫以下時，卡盤需要通過液氮來降溫以達到溫度低于事先設置的溫度。比例積分微（PID）分控制器可以準確的控制溫度來加熱卡盤中的熱敏器件。
2. 液氮單元
氮氣是必須的，通過氮氣加壓真空瓶來推動液氮的流出，液氮的容量可以通過氮氣的壓強、液氮的進氣閥和出氣閥來控制。
3. 真空倉單元
真空倉可通過真空泵產生10-3 托的壓強提供給超低溫的應用；
BNC母接頭用來連接探測設備的信號裝置；
真空泵可提供排氣過濾作用，以避免污染客戶的環境；
4. 探針座單元
所有探針座都在真空倉外設置，這將幫助工程師在真空組織下進行探測時不用排出真空倉內的氣體。特別是，當溫度降低的時候，晶圓開始收縮，探針已經離開需要探測的測試樣品，工程師需要重新設置探針，將探針扎到測試樣品上。
5. 顯微鏡單元：
顯微鏡可以通過橋梁結構移動到旁邊，以方便打開真空倉的蓋子。顯微鏡可以通過真空倉上面得窗口觀察，
燈光可以通過階梯式旋鈕控制亮度，雙分支鵝頸式光纖引導源可以用于定位及分離目標。
環保在線