不銹鋼縫隙腐蝕檢測公司,采用可使金屬的腐蝕電位處在恒電位陽極極化曲線特定區間的各種試驗溶液,利用金屬的晶粒和晶界在該電位區間腐蝕電流的顯著差異加速顯示晶間腐蝕。通過對材料的金屬腐蝕檢測,能快速了解材料的化學成分、熱處理和加工工藝是否合理 。
由于鉻在鐵素體中的遷移速度遠快于奧氏體不銹鋼,即使在高溫下迅速冷卻,也會析出碳化物,造成鉻貧區和晶間腐蝕。而在700 ~ 800℃退火時,亞穩相cr23c3轉變為穩定相Cr23C6,使鉻分布趨于均勻,消除了晶間腐蝕的傾向。
晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質中沿晶界發生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向,原子在結處的排列必須逐漸從一個取向轉變為另一個取向。因此,晶界實際上是一種“表面”不完整的結構缺陷。由于晶格畸變的增加,晶界處原子的平均能量高于晶內。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快,這是因為晶界的能量高,原子處于不穩定狀態。
根據稀釋理論,晶間腐蝕是由于組件的稀釋晶界由于容易沉淀的第二階段的晶界(1)奧氏體不銹鋼,鉻缺乏是由于晶界Cr23C6階段的降水,(2)對于Ni Mo合金,ni7mo5在晶界處析出,鉬在晶界處含量較低;(3)對于銅鋁合金,CuAl2在晶界處析出,導致晶界處銅含量較低。
鉻、鎳、鉬、硅:Cr、Mo含量的增加會降低C的活性,降低晶體腐蝕的傾向;Ni、Si等不形成碳化物的元素會提高C的活性,降低C在奧氏體中的溶解度,促進碳化物的析出。
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