一、設備簡介

電去離子Electrodeionization，簡稱EDI，又稱連續電解除鹽技術，它科學地將電滲析技術和離子交換技術融為一體，通過陰、陽離子的選擇透過作用以及離子交換樹脂對水中離子的交換作用，在電場的作用下實現水中離子的定向遷移，從而達到水的深度凈化除鹽，并通過水電解產生的氫離子和氫氧根離子對裝填樹脂進行連續再生，因此EDI制水過程不需酸、堿化學藥品再生即可連續制取高品質超純水。
半導體、集成電路芯片及封裝、液晶顯示、高精度線路板、光電器件、各種電子器件、微電子工業、大規模、超大規模集成電路需用大量的純水、高純水、超純水清洗半成品、成品。集成電路的集成度越高，線寬越窄，對水質的要求也越高。目前我國電子工業部把電子級水質技術分為五個行業等級，分別為18MΩ.cm、15MΩ.cm、10MΩ.cm、2MΩ.cm、0.5MΩ.cm，以區分不同水質。

二、設備原理

電去離子(EDI)系統主要是在直流電場的作用下，通過隔板的水中電介質離子發生定向移動，利用交換膜對離子的選擇透過作用來對水質進行提純的一種科學的水處理技術。電滲析器的一對電極之間，通常由陰膜，陽膜和隔板(甲、乙)多組交替排列，構成濃室和淡室(即陽離子可透過陽膜,陰離子可透過陰膜)。淡室水中陽離子向負極遷移透過陽膜,被濃室中的陰膜截留;水中陰離子向正極方向遷移陰膜,被濃室中的陽膜截留，這樣通過淡室的水中離子數逐漸減少，成為淡水，而濃室的水中，由于濃室的陰陽離子不斷涌進，電介質離子濃度不斷升高，而成為濃水，從而達到淡化、提純、濃縮或精制的目的。

三、工藝流程

1、如圖片“工藝流程圖---EDI“

四、技術參數

進水要求：

以下是保證 EDI 正常運行的條件。為了使系統運行效果更佳，系統設計時應適當提高這些條件。

★給水：RO 純水，一般水的電導率為 4-30us/cm。

★PH：5.0-8.0(在此 PH 條件下，水硬度不能太高)

★溫度：5-35℃

★進水壓力：為 4kg/cm2(60psi)，最小為 1.5kg/cm2(25psi)。

注意：組件壓力損失取決于流量和水溫。

EDI 組件標準配置：

★出水壓力：濃水和電極水的出口壓力必須低于產品的出口壓力。

★硬度（以 CaCO3 計）：為 1.0ppm，建議采用 0.1ppm。

★有機物：為 0.05ppm (TOC)。

★氧化劑：為 0.05ppm（CL2），0.02ppm（03）建議兩者都沒有。

★變價金屬：為 0.01 ppm (Fe)。

★二氧化硅：50-150ppb。

★二氧化碳 CO2 的總量：二氧化碳含量和 PH 值將明顯影響產品水電阻率。在大于10ppm 時，一般應在 EDI 設備前安裝脫氣裝置。

五、設備優點

1、占地空間小，省略了混床和再生裝置。

2、產水連續穩定，出水質量高，而混床在樹脂臨近失效時水質會變差。

3、運行費用低，再生只耗電，不用酸堿，節省材料費用。

4、環保效益顯著，增加了操作的安全性。

5、不需要酸堿化學試劑來再生(綠色環保)。

6、與同類進口產品比，能耗下降30%左右，節約運行費用。

7、EDI在線再生，無需加鹽系統。

8、出水水質穩定一致。

9、容易實現整體式的膜塊排列。

10、重量輕，結構緊湊。

六、應用領域

1、電廠化學水處理；
2、電子、半導體、精密機械行業超純水；
3、制藥工業工藝用水；
4、精細化工、精尖學科用水；
5、半導體材料、器件、印刷電路板和集成電路用純水；
6、半導體材料、晶元材料生產、加工、清洗；
7、其他行業所需的超純水制備。