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Helios 5 DualBeam FIB雙束電鏡

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更新時間:2021-06-29 16:33:21瀏覽次數:227次

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產品簡介

Helios 5 DualBeam FIB雙束電鏡

詳細介紹

        新一代的賽默飛世爾科技 Helios 5 DualBeam 具有 Helios 5 產品系列業界的高性能成像和分析性能。它經過精心設計,可滿足材料科學研究人員和工程師對泛的 FIB-SEM 使用需求,即使是挑戰性的樣品。


        Helios 5 DualBeam 重新定義了高分辨率成像的標準:的材料對比度,的高質量樣品制備,用于 S/TEM 成像和原子探針斷層掃描(APT)以及質量的亞表面和 3D 表征。在 Helios DualBeam 系列久經考驗的性能基礎上,新一代的 Helios 5 DualBeam 進行了改進優化,所有這些都旨在確保系統處于手動或自動工作流程的運行狀態。

    半導體行業技術參數:





    Helios 5 CX

    Helios 5 HP

    Helios 5 UX

    Helios 5 HX

    Helios 5 FX

     

    樣品制備與 XHR 掃描電鏡成像

    最終樣品制備 (TEM薄片,APT)

    STEM 亞納米成像與樣品制備

    SEM

    著陸電壓

    20 eV~30 keV

    20 eV~30 keV

    分辨率

    0.6 nm@15 keV

    1.0 nm@1 keV

    0.6 nm@2 keV

    0.7 nm@1 keV

    1.0 nm@500 eV

    STEM

    分辨率@30 keV

    0.7 nm

    0.6 nm

    0.3 nm

    FIB制備過程

    材料去除束流

    65 nA

    100 nA

    65 nA

    最終拋光電壓

    2 kV

    500 V

    TEM樣品制備

    樣品厚度

    50 nm

    15 nm

    7 nm

    自動化

    樣品處理

    行程

    110×110×65 mm

    110×110×65 mm

    150×150×10 mm

    100×100×20 mm

    100×100×20 mm+5軸(STEM Compustage

    快速進樣器

    手動

    自動

    手動

    自動

    自動+自動插入/提取STEM 樣品






    材料科學行業技術參數:


     

     

    Helios 5 CX

    Helios 5 UX

    離子光學

     

    具有越的大束流性能的Tomahawk HT 離子鏡筒

    具有越的大流和低電壓性能的Phoenix 離子鏡筒

    離子束電流范圍

    1 pA – 100 nA

    1 pA – 65 nA

    加速電圧

    500 V – 30 kV

    500 V – 30 kV

    水平視場寬度

    束重合點0.9 mm

    束重合0.7 mm

    離子源壽命

    1,000 小時

    1,000 小時

     

    兩級差分抽吸

    兩級差分抽吸

    飛行時間校準

    飛行時間校準

    15孔光闌

    15孔光闌

    電子光學

    Elstar超高分辨率場發射鏡筒

    Elstar超高分辨率場發射鏡筒

    磁浸沒物鏡

    磁浸沒物鏡

    高穩定性肖特基場發射槍提供穩定的高分辨率分析電流

    高穩定性肖特基場發射槍提供穩定的高分辨率分析電流

    電子束分辨率

    工作距離下

    0.6 nm @ 30 kV STEM

    0.6 nm @ 30 kV STEM

    0.6 nm @ 15 kV

    0.7 nm @ 1 kV

    1.0 nm @ 1 kV

    1.0 nm @ 500 V (ICD)

    0.9 nm @ 1 kV 減速模式*

     

    在束流重合點

    0.6 nm @ 15 kV

    0.6 nm @ 15 kV

    1.5 nm @ 1 kV 減速模式*  DBS*

    1.2 nm @ 1 kV

    電子束參數

    電子束流范圍

    0.8 pA ~ 176 nA

    0.8 pA ~ 100 nA

    加速電壓范圍

    200 V ~ 30 kV

    350 V ~ 30 kV

    著陸電壓

    20 eV ~ 30 keV

    20 eV ~ 30 keV

    水平視場寬度

    2.3 mm @ 4 mm WD

    2.3 mm @ 4 mm WD

    探測器

    Elstar 鏡筒內 SE/BSE 探測器 (TLD-SE, TLD-BSE)

    Elstar 鏡筒內 SE/BSE 探測器 (ICD)*

    Elstar 鏡筒內 BSE 探測器 (MD)*

    樣品室內 Everhart-Thornley SE 探測器 (ETD)

    紅外相機

    高性能離子轉換和電子探測器 (SE)*

    樣品室內 Nav-Cam 導航相機*

    可伸縮式低電壓、高襯度、分割式固態背散射探測器 (DBS)*

    可伸縮STEM 3+ 探測器*

    電子束流測量

    樣品臺和樣品

    樣品臺

    高度靈活五軸電動樣品臺

    壓電陶瓷驅動 XYR 軸的高精度五軸電動工作臺

    XY

    110 mm

    150 mm

    Z

    65 mm

    10 mm

    R

    360° (連續)

    360° (連續)

    傾斜

    -15° ~ +90°

    -10° ~ +60°

    樣品高度

    與優中心點間隔 85 mm

    與優中心點間隔 55 mm

    樣品質量

    樣品臺任意位置 500 g

    樣品臺任意位置 500 g

     0° 傾斜時 5 kg

    樣品尺寸

    直徑 110 mm可沿樣品臺旋轉時

    直徑 150 mm可沿樣品臺旋轉時

     

    優中心旋轉和傾斜

    優中心旋轉和傾斜




    更易于使用:

    Helios 5 對所有經驗水平用戶而言都是最容易使用的 DualBeam 系統。操作人員培訓可以從幾個月縮短到幾天,其系統設計可幫助所有操作人員在各種高級應用程序上實現一致、可重復的結果。


    提高了生產率:

    Helios 5 和 AutoTEM 5 軟件的*自動化功能,增強的可靠性和穩定性允許無人值守甚至夜間操作,顯著提高樣品制備通量。


    改善時間和結果:
    Helios 5 DualBeam 引入全新精細圖像調節功能 FLASH (閃調)技術。借助 FLASH 技術,您只需在用戶界面中進行簡單的鼠標操作,系統即可“實時"進行消像散、透鏡居中和圖像聚焦。自動調整可以顯著提高通量、數據質量并簡化高質量圖像的采集。平均而言,FLASH 技術可以使獲得優化圖像所需的時間最多縮短 10 倍。

關鍵詞:工作臺

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