【產品簡介】
centrotherm c.RAPID 200 RTP 系統是一種靈活的工藝設備，用于在惰性加工環境或活性加工環境下對硅、鍺與化合物半導體晶圓與器件進行均勻的可控加熱。商先創公司以合理的成本把精密溫度與環境控制以及自動晶圓運輸技術運用于小尺寸晶圓加工。c.RAPID 200 加熱條件從200°C到1200°C不等，加熱時間從幾秒鐘到幾分鐘不等。采用*的反饋溫度控制與現代圖形用戶界面。模塊化系統設計允許采用同樣的加工反應腔與加工配方進行大批量制造的開發與小規模試驗性生產配置。
【適用工藝】
·STI襯墊
·增強高k介質界面的可靠性
·界面氧化物生成與退火
·沉積氧化物致密化
·FinFET 柵氧化
·RRAM與MRAM金屬氧化
【產品優點】
·加工多種材料，包括Si、化合物半導體（SiC、GaN、InP、GaAs）、藍寶石等
·能夠加工支撐架上或在“盒"內的晶圓或器件
·全自動或半自動晶圓運輸（包括每次行程運輸多片晶圓的選項）
·*的反饋溫度控制（使用光學高溫計）
·溫度范圍200至1200°C
·晶圓加工尺寸從100和200毫米
·優異的均勻性
·低壓運轉
環保在線