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分析型高分辨掃描電鏡

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更新時間：2022-03-31 12:19:48瀏覽次數：132次

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束倫（上海）技術服務有限公司

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產品簡介

性能指標二次電子像分辨率：1.0nm@30kV,1.2nm@15kV

詳細介紹

性能指標

二次電子像分辨率：1.0nm@30kV, 1.2nm@15kV。
背散射電子像分辨率：2.0nm@30kV。
加速電壓: 200V～30kV，任意連續可調
束流大小: 2pA-200nA
五種觀察影像模式: 分辨率模式；景深模式；視野模式；大視野模式；Channeling模式，方便尋找樣品位置
電鏡檢測器: 高真空二次電子檢測器(SE)、極靴內二次電子檢測器(In-Beam)、極靴內背散射電子檢測器(In-Beam BSE)、低能背散射電子探測器(LE-BSE)、樣品室紅外CCD探測器
能譜儀：探頭面積80 mm2 SDD，能量分辨率 125eV（Mn Ka），元素檢測范圍 Be4-Pu94
EBSD：花樣平均角度偏差MAD≤0.5，EBSD在線標定解析速度：640點/秒(8×8 binning)

主要應用

主要用于金屬、非金屬、有色金屬、陶瓷等材料的形貌觀察、成分分析、物相分析等

樣品要求

儀器說明

MIRA3 LHM型掃描電子顯微鏡具有超高分辨率，該儀器能實現對各種固態樣品表面形貌的觀察，獲得表面形貌的二次電子像、背散射電子像。
MIRA3 LHM掃描電鏡配合超大面積SDD能譜儀和快速型電子背散射衍射EBSD，可應用于各種挑戰性的材料的形貌觀察、元素組成和分布測試、結構和取向分析。如金屬、納米顆粒和粉體、納米管和納米線等各種納米材料、多孔物質(如硅、羥基磷灰石)、塑料電子器件、玻璃基體材料、有機材料、高分子物質、金剛石薄膜、半導體截面、晶體材料、生物樣品、各類薄膜材料和截面等。

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