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上海巷田納米材料有限公司
別名三氧化二鎵,氧化鎵(Ga2O3)是一種寬禁帶半導體納米氧化鎵,微米氧化鎵,超細氧化鎵,Ga2O3/
微:xiangtiannano
納米二硅化鉬,微米二硅化鉬,超細二硅化鉬,Molybdenum disiticide/微:xiangtiannano
納米二硅化鉬,微米二硅化鉬,超細二硅化鉬,Molybdenum disiticide | ||||||
貨號 | 技術參數 | |||||
粒徑 | 比表面積(m2/g) | 體積密度(g/cm3) | 形貌 | 顏色 | ||
XT-0808-2-1 | 200nm | 14.3 | 4.8 | 不規則 | 黑灰色 | |
XT-0808-2-2 | 1μm | 9 | 11 | 不規則 | 黑灰色 | |
備注:可根據用戶要求,定制其它規格產品 | ||||||
CAS 號: 12136-78-6 | 分子式:MoSi2 | |||||
EC 號: 235-231-8 | 分子量:152.11 | |||||
沸 點:N.D | 密 度: 6.31g/mL | |||||
熔 點: 2030℃ | 敏感性: 濕度敏感 |
產品特點
熔點高達2030℃,具有導電性,在高溫下表面能形成二氧化硅鈍化層以阻止進一步氧化,其外觀為灰色金屬色澤,源于其四方α-型晶體結構,也存在六角形但不穩定的β-改性晶體結構 。
應用領域
1.發熱元件;
2.集成電路;
3.高溫抗氧化涂層;
4.高溫結構材料;
5.電熔玻璃電極、鼓泡管、熱偶保護管、氣體取樣管;
6.厚模電阻、導電抗氧化涂層。
包裝儲存
本品為惰氣防靜電包裝,應密封保存于干燥、陰涼的環境中,不宜*暴露于空氣中,防受潮發生團聚,影響分散性能和使用效果。
納米氧化鎵,微米氧化鎵,超細氧化鎵,Ga2O3
技術參數
貨號 | 平均粒徑 | 純度(%) | 比表面積(m2/g) | 體積密度(g/cm3) | 密度(g/cm3) | 晶形 | 顏色 |
XT-0806-27-1 | 10μm | 99.99 | 10 | 1.12 | 6.01 | 球形 | 黑色 |
備注:可根據用戶要求,定制其它規格產品 |
產品特點
氧化鎵,別名三氧化二鎵,氧化鎵(Ga2O3)是一種寬禁帶半導體,Eg=4.9eV,其導電性能和發光特性*以來一直引起人們的注意。Ga2O3是一種透明的氧化物半導體材料,在光電子器件方面有廣闊的應用前景 ,被用作于Ga基半導體材料的絕緣層,以及紫外線濾光片。它還可以用作O2化學探測器。
應用領域
用作高純分析試劑、用于電子工業半導體材料制備。
用作高純分析試劑、半導體材料。
包裝儲存
本品為惰氣防靜電包裝,應密封保存于干燥、陰涼的環境中,不宜*暴露于空氣中,防受潮發生團聚,影響分散性能和使用效果。
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