霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)用于測(cè)量半導(dǎo)體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等重要參數(shù)，而這些參數(shù)是了解半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必須預(yù)先掌控的，因此霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)是理解和研究半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必*的工具。 實(shí)驗(yàn)結(jié)果由軟件自動(dòng)計(jì)算得到，可同時(shí)得到體載流子濃度(Bulk Carrier Concentration)、表面載流子濃度(Sheet Carrier Concentration)、遷移率(Mobility)、電阻率(Resistivity)、霍爾系數(shù)(HallCoefficient)、磁致電阻(Magnetoresistance)等。

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  高磁場(chǎng)型霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)半導(dǎo)體材料測(cè)量

可測(cè)試材料:

半導(dǎo)體材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和鐵氧體材料等；?

低阻抗材料：石墨烯、金屬、透明氧化物、弱磁性半導(dǎo)體材料、TMR 材料等；

高阻抗材料：半絕緣的 GaAs, GaN, CdTe 等。

本儀器系統(tǒng)由：電磁鐵、電磁鐵電源、高精度恒流源高精度電壓表、高斯計(jì)、霍爾效應(yīng)樣品支架、標(biāo)準(zhǔn)樣品、系統(tǒng)軟件。

高磁場(chǎng)型霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)半導(dǎo)體材料測(cè)量

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技術(shù)指標(biāo)：

* 磁 場(chǎng)：10mm 間距為 2T ,20mm 間距為 1.3T

* 樣品電流：0.05uA~50mA(調(diào)節(jié) 0.1nA)

* 測(cè)量電壓：0.1uV~30V ▲ 提供各類(lèi)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)材料，各級(jí)別硅與砷化鎵（靈敏度與精度不同）

* *小分辨率：0.1GS

* 磁場(chǎng)范圍：0-1T

* 配合高斯計(jì)或數(shù)采板可計(jì)算機(jī)通訊

* I-V 曲線及 I-R 曲線測(cè)量等

* 霍爾系數(shù)、載流子濃度等參數(shù)的變化曲線

* 電阻率范圍：5*10^-5～5*10²Ω.cm

* 電阻范圍：10 m Ohms~ 6MOhms

* 載流子濃度：5*10¹²～51*10²⁰cm^-3

*霍爾系數(shù)：±1*10^-2～±1*10⁶cm³/C

* 遷移率：0.1~108 cm 2 /volt*sec

*測(cè)試全自動(dòng)化，一鍵處理

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作為北京高科技企業(yè)，錦正科技以現(xiàn)代高科技產(chǎn)業(yè)和傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)為核心業(yè)務(wù)，對(duì)內(nèi)承接科研生產(chǎn)任務(wù)，對(duì)外以商務(wù)平臺(tái)方式實(shí)現(xiàn)軍民兩用技術(shù)成果轉(zhuǎn)換，形成了科學(xué)管理的現(xiàn)代化經(jīng)營(yíng)模式，專(zhuān)門(mén)從事物理、化學(xué)和材料等領(lǐng)域的科學(xué)儀器研發(fā)、銷(xiāo)售  各類(lèi)型超低溫測(cè)試設(shè)備（液氮 液氦）制冷機(jī)系統(tǒng)集成 ，定制 ，高低溫真空磁場(chǎng)發(fā)生系統(tǒng)，Helmholtz線圈（全套解決方案），電磁鐵（全系列支持定制），螺線管，電子槍（高穩(wěn)定性雙極性磁鐵恒流電源1ppm），高低溫磁場(chǎng)真空探針臺(tái)，霍爾測(cè)試系統(tǒng)，電輸運(yùn)測(cè)量解決方案，磁光克爾效應(yīng)測(cè)量系統(tǒng)等產(chǎn)品種類(lèi)齊全，性能可靠，至今已有近10余年的歷史，是國(guó)內(nèi)（較早）生產(chǎn)探針臺(tái)，電輸運(yùn)，電磁鐵的廠家之一。