當前位置：北京錦正茂科技有限公司>>技術文章>>半導體材料的霍爾效應測試
半導體材料的霍爾效應測試
半導體材料的霍爾效應是表征和分析半導體材料的重要手段，可根據霍爾系數的符號判斷材料的導電類型。霍爾效應本質上是運動的帶電粒子在磁場中受洛侖茲力作用引起的偏轉，當帶電粒子(電子或空穴)被約束在固體材料中，這種偏轉就導致在垂直于電流和磁場的方向上產生正負電荷的聚積，形成附加的橫向電場。
根據霍爾系數及其與溫度的關系可以計算載流子的濃度，以及載流子濃度同溫度的關系，由此可以確定材料的禁帶寬度和雜質電離能;通過霍爾系數和電阻率的聯合測量能夠確定載流子的遷移率，用微分霍爾效應法可測縱向載流子濃度分布;測量低溫霍爾效應可以確定雜質補償度。與其他測試不同的是霍爾參數測試中測試點多、連接繁瑣，計算量大，需外加溫度和磁場環境等特點。
請輸入賬號
請輸入密碼
請輸驗證碼
以上信息由企業自行提供，信息內容的真實性、準確性和合法性由相關企業負責，環保在線對此不承擔任何保證責任。
溫馨提示：為規避購買風險，建議您在購買產品前務必確認供應商資質及產品質量。
