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霍爾效應實驗目的

時間:2023/3/11閱讀:154
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霍爾效應實驗目的

霍爾效應是電磁效應的一種,霍爾系數和電導率的測量已成為研究半導體材料的主要方法之一。霍爾效應實驗是指為了解霍爾效應測量磁場原理而進行的實驗。

實驗的目的主要有:

1. 通過實驗掌握霍爾效應基本原理,了解霍爾元件的基本結構;

2. 學會測量半導體材料的霍爾系數、電導率、遷移率等參數的實驗方法和技術;

3. 學會用“對稱測量法"消除副效應所產生的系統誤差的實驗方法。

4. 學習利用霍爾效應測量磁感應強度及磁場分布。

儀器與裝置:霍爾效應實驗儀

霍爾效應測試儀,是用于測量半導體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數等重要參數,而這些參數是了解半導體材料電學特性必須預先掌控的,因此是理解和研究半導體器件和半導體材料電學特性必*的工具。該儀器為性能穩定、功能強大、性價比高的霍爾效應儀,在國內高校、研究所及半導體業界擁有廣泛的用戶和*度。儀器輕巧方便,易于攜帶

可測試材料

半導體材料:SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和鐵氧體材料低阻抗材料:石墨烯、金屬、透明氧化物、弱磁性半導體材料、TMR 材料高阻抗材料:半絕緣的 GaAs, GaN, CdTe 

 



 



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