MSLYFYVZ-50-9射頻電纜型號(hào)及規(guī)格：，指標(biāo)特性：內(nèi)導(dǎo)體銅線或銅包鋁物理發(fā)泡絕緣織外導(dǎo)體

軟銅線 3 × 24 編織黑色聚乙烯內(nèi)護(hù)套

MSLYFYVZ-50-9射頻電纜阻燃聚氯乙烯外護(hù)套 電氣特性：絕緣耐壓（介電強(qiáng)度） 1.8KV1min 不擊穿

內(nèi)導(dǎo)體直流電阻（ 2 0 ℃時(shí) ）≤ 5.5Ω/km

電壓駐波比 0-300MHZ 內(nèi)≤ 1.2絕緣電阻：＞1000MΩ?km

特性阻抗 75 ± 3Ω

耦合損耗 60MHZ 75 ± 10dB環(huán)境溫度：－40 ～＋55 ℃

安裝敷設(shè)半徑 －15 ℃彎曲半徑：125mm

MSLYFYVZ-50-9射頻電纜產(chǎn)品用途及特點(diǎn)

MSLYFYVZ-50-9射頻電纜本產(chǎn)品適用于礦山、地鐵、地下隧道以及地下設(shè)施在建筑物內(nèi)部在無線電波不能直接傳播與傳播不良的特殊環(huán)境下作通信系統(tǒng)傳輸線。

二、MSLYFYVZ-75-9礦用同軸電纜主要技術(shù)特性

使用頻率: 1GHz 以下使用環(huán)境溫度: -25"C~70'C

數(shù)設(shè)溫度:不低于-10C

彎曲半徑:不大于電纜外徑的15倍。

主要用于存儲(chǔ)程序中的變量。在單芯片單片機(jī)中（*1），常常用SRAM作為內(nèi)部RAM。SRAM允許高速訪問，內(nèi)部結(jié)構(gòu)太復(fù)雜，很難實(shí)現(xiàn)高密度集成，不適合用作大容量?jī)?nèi)存。除SRAM外，DRAM也是常見的RAM。DRAM的結(jié)構(gòu)比較容易實(shí)現(xiàn)高密度集成，比SRAM的容量大。將高速邏輯電路和DRAM安裝于同一個(gè)晶片上較為困難，一般在單芯片單片機(jī)中很少使用，基本上都是用作外圍電路。（*1）單芯片單片機(jī)是指：將CPU，ROM，RAM，振蕩電路，定時(shí)器和串行I/F等集成于一個(gè)LSI的微處理器。



OTIS、KON蒂森等廠家生產(chǎn)的電梯，轎廂尺寸較大，需要的井道尺寸也較大。如果按照三菱電梯樣板設(shè)計(jì)井道，有可能無法安裝OTIS電梯。如果按照OTIS電梯樣板設(shè)計(jì)井道，安裝三菱電梯時(shí)導(dǎo)軌支架長(zhǎng)度就不夠；使用加長(zhǎng)導(dǎo)軌支架，為了增強(qiáng)導(dǎo)軌支架的強(qiáng)度，在支架間焊接加強(qiáng)筋，致使導(dǎo)軌支架變形；導(dǎo)軌支架點(diǎn)焊后并不牢固，如果滿焊，又容易使導(dǎo)軌支架發(fā)生移位。解決方案：在磚墻上摳取支架孔洞時(shí)，應(yīng)拆除周圍整塊紅磚，而不是部分紅磚，在拆除過程中，如果有紅磚碎裂，需要一起取出。