4芯屏蔽電纜YCYM

三極管有三種工作狀態(tài)，分別是放大、飽和、截止。使用多的是工作在放大狀態(tài)。NPN型三極管其兩邊各位一塊N型半導體，中間為一塊很薄的P型半導體。這三個區(qū)域分別為發(fā)射區(qū)、集電區(qū)和基區(qū)，從三極管的三個區(qū)各引出一個電極，相應的稱為發(fā)射極（E）、集電極（C）和基極（B）。雖然發(fā)射區(qū)和集電區(qū)都是N型半導體，但是發(fā)射區(qū)的摻雜濃度比集電區(qū)的摻雜濃度要高得多。另外在幾何尺寸上，集電區(qū)的面積比發(fā)射區(qū)的面積要大。由此可見，發(fā)射區(qū)和集電區(qū)是不對稱的。

EIB總線用于連接整個EIB 系統(tǒng)中的傳感器、執(zhí)行器部件。內(nèi)芯有兩組線，分別是紅黑線和黃白線，一般情況下紅線為“＋EIB"信號接入，黑線為“-EIB"信號接入，黃白線組為備用。EIB總線的敷設可放置在石膏表面、內(nèi)部或下面，可放置在管道中，干燥或潮濕的房間里。安裝在戶外時，需加保護，避免陽光直射。EIB標準的照明控制系統(tǒng)經(jīng)過了DIN VDE 0829標準測試，另外EIB總線亦可用來作為語音信號傳輸導線（非傳統(tǒng)線）。

4芯屏蔽電纜YCYM



MOS管型防反接保護電路利用了MOS管的開關特性，控制電路的導通和斷開來設計防反接保護電路，由于功率MOS管的內(nèi)阻很小，現(xiàn)在MOSFETRds（on）已經(jīng)能夠做到毫歐級，解決了現(xiàn)有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過大的問題。極性反接保護將保護用場效應管與被保護電路串聯(lián)連接。一旦被保護電路的電源極性反接，保護用場效應管會形成斷路，防止電流燒毀電路中的場效應管元件，保護整體電路。N溝道MOS管防反接保護電路電路如示N溝道MOS管通過S管腳和D管腳串接于電源和負載之間，電阻R1為MOS管提供電壓偏置，利用MOS管的開關特性控制電路的導通和斷開，從而防止電源反接給負載帶來損壞。

技術參數(shù)：

電纜類型：J-Y(St)Y 2×2×0.8 （EIB 命名法）

運行參數(shù)：必須在額定安全電壓允許范圍內(nèi)

持續(xù)電流2.5A（短路和過載保護需求）

機械特性：彎曲半徑100mm

溫度特性：皮線 -5℃～50℃

內(nèi)芯 -30℃～70℃

可承受拉伸范圍：值100N

導體：裸銅絲，直徑0.8mm銅線對絞組顏色白-黑黃-紅

：鋁層層，Φ0.4mm連通線。

外護套：PVC,，綠色，外徑6.8mm

YCYM2*2*0.8電纜重量：55kg/km

20℃是直流電阻不大于36.6歐姆/km

4芯屏蔽電纜YCYM



兩線制與四線制互改從上述可知各種線制變送器都能存在，那總是有存在的理由，否則就不會有那么多的線制了，由用戶來改動線制是很困難的，再者實際意義也不大。如果要把傳輸信號為0-10mA.DC的四線制變送器改為兩線制，首先遇到的問題，就是其起始電流為零，在電流為零狀態(tài)下，變送器的電子放大器是無法建立工作點的，因此將難于正常工作。如果用直流電源，并保證儀表原來的恒流特性，當變送器在負載電阻為0-1.5KΩ時，與其串聯(lián)的反饋動圈電阻2KΩ左右，當輸出為10mA時，這兩部分的電壓降將大于24V,也就是說用24V.DC供電，負載為0-1.5KΩ時，要保證恒流特性是不可能的，也就談不上用兩線制傳輸了。

電纜類型：J-Y(St)Y 1×2×0.8 （EIB 命名法）

運行參數(shù)：必須在額定安全電壓允許范圍內(nèi)

 持續(xù)電流2.5A（短路和過載保護需求）

導體：裸銅絲，直徑0.8mm銅線

電纜外護套：PVC,，綠色，外徑6mm

重量：42kg/km