型號Model： LXY-PL17-110
應用Objects
光清洗改質實驗裝置UV/O3 cleaning and modifying experiments
尺寸Dimensions： 約350W*350D*380H(mm)
電源Power supply： 220V 50/60Hz
功率Power consumption ：140W
照射面積Irradiation area： 170*170MM
UV 能量Uv intensity： 25-35mW/cm2
燈總功率Total lamp wat.： 110W
燈型號Lamp model 日本SEN ：SUV110GS-36
燈數量Number of lamps ：1PCS
特點: 本裝置是為了運用短波長紫外線254NM 和185NM 雙波段進行表面處理、干式清洗的效果而設計制作的試驗機。所使用的光源為日本SEN 特殊光源, 110W 合成石英玻璃的面光源。
本機的正面為單開門，試驗品可以很容易的放取。試驗臺到光源使用特定的升降機可以任意改變高度，照度可以使用照度計測定。機器內部產生的臭氧經過特別設置的排出口排出。
同時我們還有例如200mm 角300mm 角面光源，兩面照射，抽出式試驗臺，旋轉式照射臺等多種姊妹產品供您選擇。
構成和構造:
光源到試驗臺之間有80mm 距離，因此無論是玻璃/膠片型還是立體物品都可以處理。
照射距離可使用手動升降機調節高度。
在門上設有觀察窗，可以通過觀察窗隨時確認被照射物體的狀態。
紫外光UV清洗原理
紫外線清洗是是利用有機化合物的光敏氧化作用達到去除附著在材料表面的有機物質。經過光清洗后的材料表面可以達到原子級清潔度。
其主要原理為紫外線燈發出的185nm波長和254nm波長具有很高的能量，高于大多數有機物的結合能量。由于大多數碳氫化合物對185nm波長的紫外線具有較強的吸收能力，并且可以在吸收185nm波長后分解成離子，流離態原子，受激分子和中子等，這就是光敏作用。空氣中的氧分子在吸收了185nm波長的紫外光后，會產生臭氧和氧氣，臭氧對254nm波長具有很強的吸收性，臭氧有可以分解為氧原子和氧氣。氧原子具有的氧化性，可以將碳氫化合鍵切斷，生成水和二氧化碳等易揮發氣體，從被照射物表面飄逸出，*清除物體表面的污染物。
應 用
紫外線UV光清洗技術的應用范圍:
1.各種材料(ITO玻璃,光學玻璃,鉻板,掩膜版,拋光石英晶體,硅)晶片和帶有氧化膜的金屬等進行精密清洗處理;
2.清除石臘,松香,油脂,人體體油以及殘余的光刻膠/聚酰亞胺和環氧樹脂
3.高精度PCB焊接前的清洗和去除殘余的焊劑以及敷銅箔層壓板的表面清潔和氧化層生成；
4.超高真空密封技術和熱壓焊接前的表面清潔處理以及各種微型元件的清洗
5。在LCD、OLED, Touch Panel科研/生產中，在涂光刻膠、PI膠、定向膜、鉻膜、色膜前經過光清洗，可以極大的提高基體表面潤濕性，增強基體表面的粘合力；
6。印制電路板生產中，對銅底板，印刷底板進行光清洗和改質，在導線焊接前進行光清洗，可以提高熔焊的接觸面積，大大增加連接強度。特別是高精度印制電路板，當線距達到亞微米級時，光清洗可輕易地去除在線距之間很小的微粒，可以大大提高印制電路板的質量。
7。大規模集成電路的密度越來越高，晶格的微細化越來越密，要求表面的潔凈度越來越高，光清洗可以有效地實現表面的原子清潔度，而且對芯片表面不會造成損傷。
8。在半導體生產中，硅晶片涂保護膜、鋁蒸發膜前進行光清洗，可以提高粘合力，防止針孔、裂縫的發生
9。在光盤的生產中，沉積各種膜前作光清洗準備，可以提高光盤的質量。
10。磁頭固定面的粘合，磁頭涂敷，以及提高金屬絲的連接強度，光清洗后效果好。
11。石英晶體振蕩器生產中，除去晶體檢測后涂層上的墨跡，晶體在銀蒸發沉積前，進行光清洗可以提高鍍膜質量和產品性能。
12。在IC卡表面插裝ROM前，經過光清洗可提高產品質量。
13。彩色濾光片生產中，光清洗后能*洗凈表面的有機污染物。
14。敷銅箔層壓板生產中，經過光照改質，不僅表面潔凈而且表面形成十分均勻的保護氧化層，產品質量顯著提高
15。光學玻璃經過紫外光清洗后，鍍膜質量更好。
16。樹脂透鏡光照后，能加強與防反射板的粘貼性。
參考客戶：蘇州松下半導體有限公司
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