美國Sinton WCT-120少子壽命測試儀器采用了*的測量和分析技術，包括類似平穩(wěn)狀態(tài)photoconductance (QSSPC)測量方法。可靈敏地反映單晶體重金屬污染及陷阱效應表面復合效應等缺陷情況。WCT一個高度被看待的研究和過程工具。QSSPC終身測量也產生含蓄的打開電路電壓(對照明)曲線，I-V曲線是可比較的在一個太陽能電池過程的每個階段。

美國Sinton WCT-120少子壽命測試儀器采用了*的測量和分析技術，包括準穩(wěn)定態(tài)光電導(QSSPC)測量方法。可靈敏地反映單、多晶硅片的重金屬污染及陷阱效應,表面復合效應等缺陷情況。WCT在大于20%的超高效率太陽能電池(HIT,MWT,EWT,PREL,等等)的研發(fā)和生產過程中是一種被廣泛選用的*檢測工具。這種QSSPC測量少子壽命的方法可以在電池生產的中間任意階段得到一個類似光照IV曲線的開路電壓曲線，可以結合IV曲線對電池制作過程進行數(shù)據(jù)監(jiān)控和參數(shù)優(yōu)化。
 

主要應用：分布監(jiān)控和優(yōu)化制造工藝
 

其它應用：

· 檢測原始硅片的性能 

· 測試過程硅片的重金屬污染狀況 

· 評價表面鈍化和發(fā)射極擴散摻雜的好壞 

· 用得到的類似IV的開壓曲線來評價生產過程中由生產環(huán)節(jié)造成的漏電。 

主要特點：

· 只要輕輕一點就能實現(xiàn)硅片的關鍵性能測試，包括表面電阻，少子壽命，陷阱密度，發(fā)射極飽和電流密度和隱含電壓。

 硅片少子壽命測試系統(tǒng) wct-120