正電子湮沒譜學測量系統用于金屬、合金、半導體材料等的測量。該裝置包括兩個采集模塊和兩個電源模塊。在壽命譜模式中，時間是用采樣率3GS/s采集卡來采集的，它是采集來自兩BaF2閃爍體的高速脈沖信號。在符合多普勒展寬測量（CDB）的模式中，二維直方圖是通過符合兩個鍺半導體探測器的波峰值得到的。此外，該設備還可以用來測AMOC，壽命動量關聯譜。

正電子湮沒譜學測量系統主要參數

●功能： Lifetime、CDB和AMOC

●ADC： 時間：2CH 3GSPS 8bit

             CDB ：2CH 100MSPS 14bit

●時間分辨： FWHM（半高寬） 192ps （511keV@22Na, BaF2 閃爍體） FWHM（半高寬） 160 – 190 ps (Silica)

●能量分辨： 1.23keV（512keV@106Ru） 1.69keV(1.33MeV@60Co)

●PMT高壓 ： 2CH, -4000V 對于Ge(鍺)半導體： 2CH, +5000V ※包括前放

●接口： Ethernet （TCP/IP）

●附件包括應用指導手冊

組成部分

（1） 壽命譜模塊
它是用于時間壽命譜測量，每個通道采用高速3 GHz ADC。
輸入信號是BaF2 閃爍體探測器。
DSP內置了時間差分（CFD、TDC）功能。
（2）DSP多通道分析模塊
它是一個用于伽馬射譜分析模塊的多路數字信號處理（DSP）模塊。采集來自高純鍺探測器的前置放大器的輸出信號。
采樣率100 MSPS，ADC zui大增益為8192。
（3）前置放大器電源模塊
前置放大器電源用于給高純鍺探測器供電。
通過D-sub 9針連接器供應±24 V（50 mA）和±12 V（50 mA）電源。
連接器的引腳排列符合NIM標準。
（4）高壓電源模塊
它是給兩個BaF 2閃爍探測器和兩個高純鍺探測器的提供高壓的高壓電源。
CH1和CH2用于給高純鍺探測器提供高壓，zui大電壓+5000V（或-5000V）。
CH3和CH4用于給BaF2閃爍探測器提供高壓，zui大電壓-4000V。
兩者都使用SHV連接器。
（5）VME機箱

7槽VME機箱，100V/200V供電，額定功率300W